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对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA) ,将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退 火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热 稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火 工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布, 进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
关键词:
重掺锑硅单晶
快速退火(RTA)
流动图形缺陷(FPDs)
空洞缺陷 相似文献
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Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用KOH:H2O=3:20~1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 相似文献
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