掺V4+的KTiOPO4单晶的电子顺磁共振研究

在室温X波段对掺V⁴⁺的KTP单晶作电子顺磁共振(EPR)谱的测量和分析表明:V⁴⁺占据的晶位可分为结晶学上不同的两类,每一类又含4个磁性不等价而结晶学上相同的V⁴⁺晶位。测量了3个互相垂直结晶主平面上的EPR超精细线随角度的变化,并用严格的最小二乘法拟合程序,确定了g和A张量的主值以及它们主轴的方向余弦。从而揭示了V⁴⁺是处在带有四角畸变的八面体环境及单胞中所有8个磁性不等价V⁴⁺晶位的空间取向     

沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.     

沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1 ■00]方向生长6H-SiC单晶。利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1 ■00]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷。     

Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的光折射变化特性研究

基于Ca²⁺掺杂铌酸锶钡晶体的透射特性,探讨了Ca²⁺在晶体中的电子行为机制，分析了Ca²⁺掺杂而引起的光致折射率变化特性.采用Michelson干涉装置测得了样品折射率随时间变化的特性曲线.实验结果分析表明，适当的Ca²⁺掺杂可以有效改善铌酸锶钡晶体的光折射特性. 关键词： 2+')" href="#">Ca²⁺ 铌酸锶钡 透射率 光折变     

Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的光折射变化特性研究

基于Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的透射特性,探讨了Ca2+在晶体中的电子行为机制,分析了Ca2+掺杂而引起的光致折射率变化特性.采用Michelson干涉装置测得了样品折射率随时间变化的特性曲线.实验结果分析表明,适当的ca2+掺杂可以有效改善铌酸锶钡晶体的光折射特性.     

An 885-nm Direct Pumped Nd：CNGG 1061 nm Q-Switched Laser

The 885nm direct pumping method, directly into the ^4F3/2 emitting level of Nd^3＋ ion, is used to a Nd：CNGG crystal to product passive Q-switched 1061 nm laser pulses, for the first time to the best of our knowledge. A maximum average output power of 1.16 W for 1061 nm Q-switched pulses and a repetition rate of 12.54 kHz are obtained. The pulse width is measured to be 24ns and the peak power is 3.843kW. A high-quality fundamental transverse mode can be observed owing to the reduction of the thermal effect for Nd：CNGG crystal by 885 nm direct pumping.     

Nd:LuVO4晶体的红外、拉曼光谱和热学特性

利用商群对称分析法分析了Nd:LuVO4晶体的晶格振动模分类,测量了Nd:LuVO4晶体的红外光谱和拉曼光谱,从测定的谱线中指认了该晶体的振动模,理论与实验符合良好.测量了Nd:LuVO4晶体的热膨胀系数,a向、b向和c向的热膨胀系数分别为 1.7×10-7/K 、1.5×10-7/K和9.1×10-7/K.测量了比热,其值约为0.48J/g·K.测量了热传导率,其值沿<100>方向为6.2W/m·K,沿<001>方向为7.9W/m·K.这些参数显示该晶体是一种热学性能优良的激光晶体.     

6H-SiC晶片的退火处理

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.