简易RLC交流电路演示器的制作与应用

一、结构与制作仪器结构方框图见图1,主要由正弦波信号发生器、功率放大器、电源、交直流转换开关以及演示线路板等五部分组成,电原理图见图2。其中正弦波信号发生器(由F001、C_1、C_2、W_1等组成)采用RC串并联网络振荡     

非醚合氢化铝的制备及性质研究

本文论述了大晶粒α-AlH_3的合成条件,从而制得高纯度产品;对α-AlH_3和α′-AlH_3的稳定性进行比较研究表明,α′-AlH_3也是一种相当稳定的非醚合氢化铝;提出了α-AlH_3与α′-AlH_3的分离方法。     

MOCVD生长AlN/GaN化学反应路径的量子化学研究

应用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长GaN/AlN薄膜的反应路径进行理论计算和分析,特别是针对Ⅲ族TMX(X=Ga,Al)与V族NH3的反应路径与温度的关系进行研究.计算结果表明:当温度T≤473.15 K时,反应自由能△G＜0,TMX与NH3自发生成配位加合物TMX∶ NH3;当T≥573.15 K时,△G＞0,TMX∶ NH3将重新分解为TMX和NH3.在473.15 K≤T≤573.15 K区间,将存在△G=0,即加合反应达到平衡,反应为双向可逆.随着温度的升高,从加合物变为氨基物DMX∶ NH2的反应概率加大.TMX和MMX的直接热解反应均需要高温激活,而DMX变为MMX则较容易发生.当T＞873.15 K时,DMGa变为MMGa的热解反应将自发进行;当T＞1273.15 K时,DMAl变为MMAl的热解反应将自发进行.在自由基CH3参与下,TMX→DMX(X=Ga、Al)的能垒仅为TMX直接热解能垒的一半,约为30 ～ 40 kcal/mol;在自由基H参与下,TMGa和TMAl的热解反应能垒更低,约为16～ 20kcal/mol.因此,自由基H的产生将大大促进TMX的热解.     

1,2-双烷基(芳基)硫代乙烷对金的萃取性质和配合物的研究

本文研究了1,2-双烷基(芳基)硫代乙烷(L)——1,2-双(正辛基硫代)乙烷(BOTE)、1,2-双(正戊基硫代)乙烷(BATE)、1,2-双(苯基硫代)乙烷(BPTE)对金的萃取及其配合物的性质.双烷基硫代乙烷对金具有很强的萃取能力,可定量地萃取金.在溶液中,当[L]≥[Au~(3 )]时,Au与L形成1∶1Au-L配合物,而在[L]<[Au~(3 )]时,则为2∶1Au-L配合物.固态时,Au(Ⅲ)、Au(Ⅰ)与L只形成2∶1配合物(AuCl_3)_2L和AaCl)_2L.讨论了BOTE和BATE与Au(Ⅲ)、Au(Ⅰ)配合物的IR和~1H NMR谱.IR谱证实了关于Au(Ⅰ)配合物为线型结构的推断,并借助金原子的交换机理,解释了配合物与配位体的~1H NMR谱外观相似的原因.详细分析了Au(Ⅲ)配合物低频区的IR数据,提出了配合物有离子型结构的新证据.