ZnSe：A1深能级的研究

为研究ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ａ１在ＺｎＳｅ中的深能级行为，首先测量了Ｚｎｓｅ单晶体中的深能级，发现只存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ一个电子陷阱．然后，通过热扩散的方法，在３００℃～７００℃温度范围内把Ａ１掺杂到ＺｎＳｅ单晶体中，结果发现存在Ｅｅ－０．３３ｅＶ和Ｅｅ－０．７０ｅＶ两个电子陷阱．本文从缺陷化学角度对ＺｎＳｅ中的本征缺陷和Ｅｅ－０．７０ｅＶ深能级的结构及起源进行了讨论．     

ZnSe:Al发光光谱的研究

本文用热扩散的方法在Zn饱和蒸气压下,把Al掺杂到高纯ZnSe单晶中,通过77K下的光致发光光谱研究了Al杂质的发光行为,讨论了施主一受主对发射强度、自激活中心发射强度随掺杂温度的变化规律以及与Zn饱和蒸气压的关系.本文首次报道了在300℃～900℃温度范围内进行Al掺杂的ZnSe的发光规律.     

Znse:Al电学性能的研究

本文研究了77～300K温度区间内ZnSe:Al的电学性能,讨论了ZnSe:Al中的缺陷及其补偿比,得出了随掺杂温度的升高,极化光学声子对载流子的散射作用变弱,电离杂质对载流子的散射作用变强的结论。同时,本文也给出了霍尔系数、载流子浓度与掺杂温度及测量温度的关系,计算了Al施主能级的电离能。     

ZnSe:A1深能级的研究

为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ec-0.33eV一个电子陷阱。然后,通过热扩散的方法,在300℃～700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中,结果发现存在Ec-0.33eV和Ec-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和Ec-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。