Deposition of ZnO thin films on (100) γ-LiAlO_2 substrate

The resurgence in the study of ZnO continues. The now ready availability of good-quality single crystals and films[1,2] and discovery of lasing action in the materials[3] have generated new life in an old material. A direct semi- conductor with a gap energy of 3.3 eV[4], ZnO is in the position of being able to offer a challenge to GaN in the blue laser market[5]. The advantages of ZnO are the high quality of the material and the large exciton bind- ing energy (60 meV). The large exciton bi…     

Li掺杂对ZnO陶瓷结构与电学性能的影响

研究了用传统方法在1200～1400℃烧结的ZnO陶瓷，以及用放电等离子体烧结(SPS)方法烧结的ZnO陶瓷的结构特征与电学性能。以ZnO为基添加了不同浓度的LiOH，制备了不同Li掺杂浓度的ZnO陶瓷。研究了掺杂、烧结温度，以及烧结方法等因素对ZnO基陶瓷的微观结构、电学性能的影响。实验表明，用传统方法烧结时，ZnO在烧结温度低于1400℃的情况下难以成瓷，而放电等离子体烧结(SPS)方法可以显著降低烧结温度。ZnO陶瓷的晶粒大小。密度随着烧结温度的增大而增大。在同样的烧结温度下，LiOH含量越大，ZnO基陶瓷的电阻率越大。     

脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能

采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀。室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O₂分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O₂分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。     

籽晶层对喷雾热分解法生长ZnO薄膜结晶质量和光电性能的影响

通过脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上沉积一层高质量的ZnO籽晶层,在籽晶层上进一步采用超声喷雾热分解(USP)法生长ZnO薄膜,研究了籽晶层对ZnO薄膜结晶质量和ZnO/Si异质结光电特性的影响。研究结果表明,在籽晶层的诱导作用下,USP法生长ZnO薄膜由多取向结构变为(002)单一取向,结晶性能得到了显著改善;籽晶层上生长的薄膜呈现出垂直于衬底生长的柱状晶结构,微观结构更加致密。通过研究紫外光照前后ZnO/Si异质结的整流特性,发现引入籽晶层后,反向偏压下异质结的光电响应显著增加,并且在开路状态下出现明显的光伏效应。     

偏序集上的素强滤子

在偏序集上引入素强滤子的概念,并考察其若干性质.此外,对素强滤子、素滤子、强滤子的关系进行了探究,并得到:序同构映射下素强滤子的像仍是素强滤子。     

Electrical and Optical Properties of Bulk ZnO Single Crystal Grown by Flux Bridgman Method

Zinc oxide （ZnO） single crystals are grown by the modified vertical Bridgman method using a PbF2 flux. The maximum size of the as-grown ZnO crystal is about Φ25 mm×5mm. The transmittance of the as-grown ZnO crystal is more than 70% in the range of 600-800hm and the optical band gap is estimated to be 3.21eV. The photoluminescence spectrum indicates that the as-grown ZnO crystal has a very low concentration of native defects and is much closed to its stoichiometry. The electrical measurement exhibits that the ZnO crystal has low electrical resistivity of 0.02394Ωcm^-1 and a high carrier concentration of 2.10×10^18cm^-3.     

偏压加强MPCVD法Ir(100)/MgO(100)基片上金刚石异质外延形核

利用自行研制的可调谐圆柱谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置的结构优势,设计了电极可调节的偏压加强MPCVD装置.采用脉冲激光沉积(PLD)法制备了Ir(100)/MgO (100)基片.采用偏压加强MPCVD装置进行了金刚石异质外延形核的探索,在Ir(100)/MgO (100)基片上实现了金刚石异质外延形核.扫描电镜结果显示,[100]取向的金字塔状外延金刚石晶粒的形核密度达108～109 cm-2.     

表面活性剂对陶瓷基底化学镀镍的作用机理及镀层性能的影响

采用酸性化学镀技术在Al₂O₃陶瓷片表面沉积Ni-P镀层,通过电感耦合等离子体发射光谱,X射线衍射光谱和扫描电子显微镜等分析测试,对镀层的成分、物相和形貌进行了表征,考察了表面活性剂种类、掺量等因素对镀层表面性貌和性能的影响。结果表明,当添加5 mg·L^-1 SDS时,镀速从14 μm·h^-1增加到17 μm·h^-1,随表面活性剂添加量继续增加,镀速呈减少趋势。添加表面活性剂能够不同程度的消除化学镀Ni-P镀层固有的胞状组织,提高表面致密性和平整性;镀层自腐蚀电流密度从43 μA·cm^-2减小至3.5 μA·cm^-2,镀层的耐腐蚀性能显著提高。根据电化学理论和实验规律,探讨了表面活性剂在化学镀镍磷合金反应过程的影响机理。     

碱式硫酸锌转化法制备ZnO多孔片及其光致发光性能

采用化学浴沉积法制备了碱式硫酸锌(ZSH)纳米片, 并经1000 ℃煅烧处理得到了ZnO多孔片. 详细研究了ZSH在Zn²⁺-六亚甲基四胺前驱体溶液体系中的形成机理、ZSH 的热解过程、ZnO的结晶性、微结构以及光致发光性能. 结果表明, 所得ZnO多孔片呈规则六角形状, 其尺寸为10-50 μm, 厚度为200-500 nm, 由于高温固相反应中传质等因素的限制, 构成薄片的ZnO晶粒呈多边形或不规则形貌, 晶粒间的孔为亚微米孔, 尺寸在100-500 nm范围. ZnO多孔薄片结晶性良好, 在388 nm处表现出较强紫外发光, 无可见光区的缺陷发光. 机理分析表明, SO₄^2- 与Zn²⁺的高亲和力是Zn²⁺-六亚甲基四胺体系中ZSH生成的根本原因, 而ZSH的热分解过程对ZnO多孔片的形貌和微结构影响显著. 本研究提出了一种制备高结晶质量ZnO多孔材料的新方法, 所得ZnO多孔片可望在催化、染料敏化太阳能电池、紫外光电器件等领域得到应用.     

多用途输液立管涡激振动实验研究与疲劳分析

为研究输运不同流体的海洋立管在海流作用下的振动规律,在大型波浪流水槽中进行涡激振动模型实验。实验分别将四种不同质量比的立管模型竖直固定于支架上,立管外部承受不同速度的流体作用,上端施加顶张力。立管模型上均匀布置六个测点,根据每个测点布置的两个应变计,分别测得来流向和横向两个方向振动响应。通过小波变换对实验数据进行去噪处理,利用振型分解法求解立管各点涡激振动位移。考察输运不同流体对立管自振频率以及涡激振动响应的影响,并利用雨流计数法对模型进行疲劳分析。实验结果表明,随质量比增加立管涡激振动频率降低;低质量比的立管更容易产生大位移。