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远程外延能够突破传统外延中晶格匹配、热匹配等限制,近年来得到了广泛的关注。Ⅲ-Ⅴ族和Ⅲ-氮化合物半导体已经成功在石墨烯上远程外延生长,但Ⅳ族半导体的远程外延很少被报道。本文首次借助于分子束外延技术在石墨烯上远程外延制备了半导体Ge纳米柱,研究了其生长特性及剥离转移。结果表明:远程外延生长的Ge纳米柱为[111]c晶向,集中分布在石墨烯的褶皱以及衬底Cu-Ni原子台阶处;随着生长温度的提高,Ge纳米柱的高度和密度逐渐下降,但直径差别不大,约为55~65 nm;此外,自组织生长的Ge纳米棒显示无应变的生长状态;引入少量Sn形成GeSn纳米柱,能够显著提升Ge纳米柱的面密度。同时,生长的Ge纳米柱可实现剥离,有望实现异质集成,应用于先进光电子器件等领域。 相似文献
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通过固定床吸附实验考察了吸附剂的粒径、空速与浓度及床层温度等操作参数对苯中噻吩吸附的影响。结果表明,上述因素分别通过改变内、外扩散过程的传质阻力以及其物理吸附行为来影响噻吩的脱除。最佳的参数是,吸附剂粒径为0.2~0.3 mm,空速为0.85 h-1,床层温度为室温。在此条件下,CeY吸附剂能将噻吩浓度为500 mg/L苯溶液中的噻吩完全脱除,其噻吩的穿透时间和吸附量可达400 min和4.61 mg/g以上。 相似文献
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采用气相负载法制备了AlCl3/γ-Al2O3催化剂,考察了γ-Al2O3的粒径、温度、时间、AlCl3加入量和载气流量等制备条件对催化剂上噻吩与烯烃烷基化反应活性的影响,并采用Raman光谱、X射线衍射和N2吸附-脱附等技术对样品进行了表征,用气相色谱-质谱联用仪对反应产物进行了定性分析.结果表明,AlCl3主要通过与γ-Al2O3表面–OH结合而有效负载并均匀分布于其表面,制得的AlCl3/γ-Al2O3催化剂对噻吩和烯烃的烷基化反应具有较好的催化能力,反应产物主要是烷基噻吩.在200°C,将3g的AlCl3用100ml/min的N2向10g的γ-Al2O3(0.198～0.246mm)上负载5h,制得的AlCl3/γ-Al2O3催化剂活性最高,在液剂比为20ml/g时,噻吩脱除率可达62.11%. 相似文献
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