RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

采用溶盐法生长了大尺寸ＲｂｉＯＡｓＯ４晶体。利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法，研究了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体中的生长缺陷。发现该晶体中的生长缺陷主要生长位错和生长扇界。大部分位钷沿「１００」方向，Ｂｕｒｇｅｒｓ适量为「００１」。在扫描电镜下，对原生ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体的表面形态进行了观察，根据其表面二次电子像的特征，对不同晶面的生长控制机制进行了讨论。     

砷酸钛氧铷单晶的散射光谱

本文研究了砷酸钛氧铷ＲｂＴｉＯＡｓＯ４ｕ单晶在各种不同几何配置下的拉曼散射光谱,并与磷酸钛氧铷、砷酸钛氧钾、磷酸钛氧钾单晶的振动光谱进行了比较。