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专业分类
晶体学
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2012年
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1.
衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响
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孙小虎
雷青松
曾祥斌
薛俊明
鞠洪超
陈阳洋
《人工晶体学报》
2012,41(6):1494-1497
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85;的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.
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