Yb:GdVO4晶体的缺陷研究

Yb：GdVO4晶体是一种很好的激光材料，但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响，开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。采用提拉法生长了面25mm×20mm，掺杂浓度为2％的Yb：GdVO4晶体；分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响；采用化学腐蚀法，以盐酸、氢氟酸为腐蚀剂，对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验，通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究；对晶体进行了高分辨X衍射实验，结果表明晶体中存在镶嵌块结构；开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。     

GdVO4晶体的生长及其性能研究

采用提拉法沿a轴和c轴生长出无色透明的GdVO4单晶,质量均超过50g.用X射线荧光分析法测得两个主要元素Gd和V的分凝系数都接近1.室温下测量了GdVO4晶体的X射线粉末衍射图,确定所获GdVO4晶体属于四方晶系,D194h-I41/amd空间群.通过晶体的锥光干涉图确定GdVO4晶体为单轴晶,光轴方向平行于c轴且光学均匀性比较好.利用高分辨X射线衍射仪测量GdVO4晶体的摇摆曲线,结果表明生长的GdVO4晶体的晶格完整性较好.通过浮力法测得其室温下密度为5.478g/cm3.透过波谱表明透过波长大于340nm.     

Nd:YbVO4激光晶体的生长及热学性质

用提拉法沿a轴和c轴成功生长出质量优良的Nd:YbVO4新型单晶.采用HRXRD-D5005型高分辨X射线衍射仪测得晶体的摇摆曲线,可以测得(400)面的半峰宽为70.92″,(004)面的半峰宽为19.80″.测得掺杂浓度为1;原子分数Nd:YbVO4晶体中Nd离子的有效分凝系数Keff为0.54.在298.15～573.15K温度范围内测量了晶体的热膨胀系数,αa=2.6×10-6/K,αb=2.5×10-6/K,αc=8.7×10-6/K;测得比热值为0.45～0.65J/g·K.测量了晶体的热扩散系数a,从而得到了其热导率λ.     

铁电相Tb2（M0O4）3晶体的生长和缺陷研究

钼酸铽[Tb2（M0O4）3]是一种具有铁电、铁弹和顺磁等多种性质的功能晶体。采用提拉法,沿[001]方向生长了Ф25mm×20mm的铁电相Tb2（M0O4）3晶体。采用化学腐蚀法、扫描电子显微镜（SEN）观察了晶体中的缺陷,结果显示,晶体中的主要缺陷是位错、镶嵌物。高分辨X射线衍射（摇摆曲线）实验表明所生长的Tb2（M0O4）3晶体具有很好的晶格完整性。     

铁电相Tb2(MoO4)3晶体的生长和缺陷研究

钼酸铽[Tb2(MoO4)3]是一种具有铁电、铁弹和顺磁等多种性质的功能晶体.采用提拉法,沿[001]方向生长了φ25 mm×20 mm的铁电相Tb2(MoO4)3晶体.采用化学腐蚀法、扫描电子显微镜(SEM)观察了晶体中的缺陷,结果显示,晶体中的主要缺陷是位错、镶嵌物.高分辨X射线衍射(摇摆曲线)实验表明所生长的Tb2(MoO4)3晶体具有很好的晶格完整性.     

无序Nd:CNGG晶体的生长及激光性能研究

本文报道了无序晶体Nd:CNGG的生长及其激光性能.采用提拉法成功生长了绿色、透明的大尺寸Nd:CNGG晶体.在He-Ne激光器照射下,未发现散射颗粒.在半导体激光器泵浦的条件下,我们研究了其1.06μm的连续激光输出性能.在8.56 W泵浦的情况下,得到1.52 W的激光输出.     

Growth Defects in Cubic KTa1-xNbxO3 Crystal

Potassium tantalate niobate （KTa1-xNbxO3, KTN） crystals with different dimensions and quality situations were grown by Czochralski method. Crystal growth process and morphology properties of KTN are presented in this paper. It was found that some defects, such as bubble, inclusion, crack, dislocation etc., can all appear if the crystal is grown in an improper condition. The character and formation mechanism of such defects in macro growth are discussed. We consider that the CO2, which was not released absolutely during the sintering process and dissolved in the melt, led to bubbles. The composition of the inclusion caused by high pulling and rotation rates is KTN polycrystalline. The crack and dislocation in KTN crystal mainly come from improper temperature field. Etching and high-resolution X-ray diffraction （HRXRD） experiment results indicate that the central area is the defects concentrated.     

提拉法生长晶体的自等径控制

采用JPG技术有限公司所开发的自等径控制程序,利用上称重法实现了晶体生长的自等径控制(ADC).通过对生长曲线PID的具体分析及其他晶体生长相关参数的设置,以铌酸锂晶体为对象,成功实现了按预设程序进行的晶体生长自等径控制.     

Effective warm white-light emission with Dy:YAlO3single crystal

Dysprosium-doped orthorhombic yttrium aluminate(Dy:YAlO3or Dy:YAP) single crystals were grown by the Czochralski method with a size of Φ43 mm × 150 mm. Based on the measurements of spectra and theoretical analysis, the white-light emission was investigated with different doping concentrations. The optimal white emission was achieved at Dy³⁺ doping concentration of 1.0% under 450 nm excitation. Combining with residual pumping light, the white-light output was successfully obtained with...     

零声表面波频率温度系数方向的硅酸镓镧晶体生长

采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体.XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3.压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致.用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本.