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1.
2.
3.
The kinetics of the O3, OH and NO3 radical reactions with diazomethane were studied in smog chamber experiments employing long-path FTIR and PTR-ToF-MS detection. The rate coefficients were determined to be k CH2NN+O3?=?(3.2?±?0.4)?×?10?17 and k CH2NN+OH?=?(1.68?±?0.12)?×?10?10 cm3 molecule?1 s?1 at 295?±?3?K and 1013?±?30 hPa, whereas the CH2NN?+?NO3 reaction was too fast to be determined in the static smog chamber experiments. Formaldehyde was the sole product observed in all the reactions. The experimental results are supported by CCSD(T*)-F12a/aug-cc-pVTZ//M062X/aug-cc-pVTZ calculations showing the reactions to proceed exclusively via addition to the carbon atom. The atmospheric fate of diazomethane is discussed.  相似文献   
4.
Tricyclic skeletons have been generated from acyclic enyne precursors by using an intramolecular Pauson-Khand reaction in combination with aldol, Michael and alkylation reactions.  相似文献   
5.
 Let R be a discrete nonsingular equivalence relation on a standard probability space , and let V be an ergodic strongly asymptotically central automorphism of R. We prove that every V-invariant cocycle with values in a Polish group G takes values in an abelian subgroup of G. The hypotheses of this result are satisfied, for example, if A is a finite set, a closed, shift-invariant subset, V is the shift, μ a shift-invariant and ergodic probability measure on X, the two-sided tail-equivalence relation on X, a shift-invariant subrelation which is μ-nonsingular, and a shift-invariant cocycle.  相似文献   
6.
Thin Ca films were evaporated on Si(1 1 1) under UHV conditions and subsequently annealed in the temperature range 200–650 °C. The interdiffusion of Ca and Si was examined by ex situ Auger depth profiling. In situ monitoring of the Si 2p core-level shift by X-ray photoemission spectroscopy (XPS) was employed to study the silicide formation process. The formation temperature of CaSi2 films on Si(1 1 1) was found to be about 350 °C. Epitaxial growth takes place at T≥400 °C. The morphology of the films, measured by atomic force microscopy (AFM), was correlated with their crystallinity as analyzed by X-ray diffraction (XRD). According to measurements of temperature-dependent IV characteristics and internal photoemission the Schottky-barrier height of CaSi2 on Si(1 1 1) amounts to qΦBn=0.25 eV on n-type and to qΦBp=0.82 eV on p-type silicon.  相似文献   
7.
This paper is devoted to the numerical study of diffraction by periodic structures of plane waves under oblique incidence. For this situation Maxwell's equations can be reduced to a system of two Helmholtz equations in R 2 coupled via quasiperiodic transmission conditions on the piecewise smooth interfaces between different materials. The numerical analysis is based on a strongly elliptic variational formulation of the differential problem in a bounded periodic cell involving nonlocal boundary operators. We obtain existence and uniqueness results for discrete solutions and provide the corresponding error analysis.  相似文献   
8.
9.
The high-temperature cubic phase of non-stoichiometric strontium ferrite SrFeOx (2.5≤x≤3.0) has been studied by in situ neutron powder diffraction in air over the temperature range 300-1273 K. The composition of SrFeOx changes within the range 2.56≤x≤2.81 from 1273 to 673 K, respectively.Rietveld refinements of the diffraction patterns show that the high-temperature cubic phase of SrFeOx is consistent with a face-centred Fm3c structure. This structure leads to agreement with previous density measurements. This cell allows the high-temperature structure of SrFeOx to be described in terms of a solid solution of the composition end members. Cubic SrFeOx at high temperature is found to closely obey Vegard's law. The density of cubic SrFeOx is also found to exhibit a linear relationship with composition.  相似文献   
10.
Ohne ZusammenfassungDie vorliegende Arbeit wurde von der Mathematisch-naturwissenschaftlichen Fakultät der Universität Jena als Dissertation (D 27) angenommen. nachdem sie vorher einen Fakultätspreis erhalten hatte. Referent war Herr Prof. Hermann Schmidt. Ich möchte ihm auch hier meinen Dank für die Förderung aussprechen, die er mir durch seine vielfachen persönlichen Anregungen zuteil werden ließ.  相似文献   
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