光电子材料InP玷污的研究

文章给出了光电子材料InP （100）和（111）晶面质谱分析的结果，对（100）晶面做了光荧光分析。在300和77K温度下测量了（100）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明玷污主要来自硅。     

平面型Gunn器件低温SiO2和PSG的淀积

采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理，工艺条件和可控硅电路。