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1.
共轭聚腈高分子的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文从合成,聚合机理,性能以及应用等几方面较系统地综述了共轭聚腈主分的发展概况,并对其今后的发展趋势做了展望。  相似文献   
2.
大分子引发剂用于合成嵌段液晶共聚物的新进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
前有多种制备嵌段液晶共聚物的方法,采用大分子引发剂合成嵌段液晶共聚物,方法简单且易于实施,越来越受到人们的青睐。综述了由大分子引发剂合成嵌段液晶共聚物方面取得的新进展。  相似文献   
3.
赵雄燕 《物理化学学报》2010,26(4):1164-1170
采用等离子体聚合技术合成了一种新型的低介电常数聚喹啉衍生物薄膜: 聚3-氰基喹啉(PP3QCN)薄膜. 借助于傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、X光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜结构进行了系统表征. 结果表明, 等离子体聚合条件对沉积膜的化学结构、表面组成、膜形态以及介电性能均有影响. 在较低的等离子体放电功率(10 W)条件下, 可得到具有较高芳环保留率和较大π-共轭体系的高质量聚3-氰基喹啉薄膜材料; 而在较高功率(25 W)条件下, 聚合过程中会出现比较严重的单体分子破碎, 形成较多非π-共轭体系的聚合物, 从而导致聚3-氰基喹啉的共轭度降低. 聚3-氰基喹啉薄膜的介电性能测试结果表明, 低放电功率(10 W)条件下制得的聚3-氰基喹啉薄膜具有比较低的介电常数值, 仅为2.45.  相似文献   
4.
综述了近几年嵌段液晶共聚物在合成方面取得的新进展,主要包括活性聚合、液晶(或非液晶、低聚物与非液晶(或液晶)聚全物的单体反应、液晶低聚物与非液晶低降物直接反应和先制备非液晶嵌段共聚物再于侧链引入液晶基元四个方面。同时还简要地介绍了嵌段液晶共聚物的结构、性能以及今后的发展趋势。  相似文献   
5.
共轭型聚合物三阶非线性光学材料的研究进展   总被引:14,自引:0,他引:14  
综述了近10年共轭型聚合物三阶非线性光学材料取得的新进展。主要包括聚二乙炔及其衍生物、聚乙炔及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯乙炔及其衍生物、聚苯腈及其衍生物以及聚苯胺类等。  相似文献   
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