La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19∶Ce3+在VUV-Vis范围的光谱, 发现Ce3+在La2CaB10O19中共有两种格位, 分别取代了十配位的La3+和八配位的Ca2+, 从而发射光谱中没有出现特征的双峰, 而出现了峰值约位于307, 330和356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂, 激发光谱中位于194, 224, 243, 260, 274和318 nm的峰是由两个格位的Ce3+的f-d跃迁引起的.Ce3+占据两个格位, 可以通过以Eu3+为荧光探针的发射光谱中出现的两个5D0-7F0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带, 与基质禁带宽度相对应.通过计算, 不排除其中包含O2-→Ce3+的电荷迁移带的可能性.     

La2CaB10O19∶Eu3+的VUV-VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19∶Eu3+红色发光材料的高分辨发射光谱和UV-VUV激发光谱. 根据发射光谱和荧光寿命, 认为进入晶格的Eu3+占据了两种格位, 一种Eu3+占据了与O2-离子十配位的La3+的格位, 另一种Eu3+则占据了与O2-离子八配位的Ca2+的格位. 又从激发光谱的分析中, 得到Eu3+的电荷迁移带(CTB)是峰值位于244 nm的宽带, 而位于130～170 nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu3+的f-d跃迁的结论.     

La2CaB10O19：Eu^3＋的VUV—VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19:Eu^3 红色发光材料的高分辨发射光谱和UV－VUV激发光谱，根据发射光谱和荧光寿命，认为进入晶格的Eu^3 占据了两种格位，一种Eu^3 占据了与O^2-离子十配位的La^3 的格位，另一种Eu^3 则占据了与O^2-离子八配位的Ca^2 的格位，又从激发光谱的分析中，得到Eu^3 的电荷迁移带（CTB）是峰值位于244mm的带，而位于130－170nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu^3 的f-d跃迁的结论。     

红色荧光粉Ca_4(La_(1-x-y)Gd_xY_y)_(1-n)O(BO_3)_3∶nEu~(3+)的发光和优化

用高温固相法合成了红色荧光粉Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3∶nEu3+(LnCOB∶Eu,Ln=La1-x-y-GdxYy),并对其在真空紫外至可见范围的发光性质进行了系统的研究,找出发光较好的组分范围并与某些商品红色荧光粉进行了比较。LnCOB∶Eu在254 nm紫外线激发下的发射光谱为Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)的特征跃迁。监测其最强的5D0→7F2发射线,其激发光谱在250 nm左右有一个宽的激发带,归属于Eu-O电荷迁移带,适于用254 nm汞线激发;在300~450 nm有一些弱的归属于Eu3+的f-f跃迁的锐吸收峰;在真空紫外区184~188 nm附近有一个宽带,为基质吸收带,并可能包含了Eu3+的f-d跃迁。在Ca4GdO-(BO3)3∶Eu3+的激发光谱中,还包含了Gd3+的8S7/2→6GJ跃迁,此跃迁增强了荧光粉在184~188 nm附近的激发强度。     

红色荧光粉Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3:nEu3+的发光和优化

用高温固相法合成了红色荧光粉Ca4（La1-x-yGdxYy）1-nO（BO3）3：nEu^3＋（LnCOB：Eu,Ln=La1-x-y-GdxYy）,并对其在真空紫外至可见范围的发光性质进行了系统的研究,找出发光较好的组分范围并与某些商品红色荧光粉进行了比较。LnCOB：Eu在254nm紫外线激发下的发射光谱为Eu^3＋的^5D0→^7FJ（J=0,1,2,3,4）的特征跃迁。监测其最强的^5D0→^7F2发射线,其激发光谱在250nm左右有一个宽的激发带,归属于Eu-O电荷迁移带,适于用254nm汞线激发;在300—450nm有一些弱的归属于Eu^3＋的f-f跃迁的锐吸收峰;在真空紫外区184—188nm附近有一个宽带,为基质吸收带,并可能包含了Eu^3＋的f-d跃迁。在Ca4GdO0（BO3）3：Eu^3＋的激发光谱中,还包含了Gd^3＋的^8S7/2→^6GJ跃迁,此跃迁增强了荧光粉在184～188nm附近的激发强度。     

La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La_2CaB_(10)O_(19):Ce~(3+)在VUV-Vis范围的光谱.发现Ce~(3+)在La_2CaB_(10)O-(19)中共有两种格位.分别取代了十配位的I。a’“和八配位的Ca”,从而发射光谱中没有出现特征的双峰,而出现了峰值约位于307,330和 356 nm的3个发射峰.由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂.激发光谱中位于194.224,243.260,274和318 nm的峰是由两个格位的Ce~(3+)的f-d跃迁引起的.Ce~(3+)占据两个格位,可以通过以Eu~(3+)为荧光探针的发射光谱中出现的两个~5D_(0-)~7F_0跃迁得到验证.峰值位于162 nm的激发谱带是基质吸收带.与基质禁带宽度相对应.通过计算,不排除其中包含O~(2-)→Ce~(3+)的电荷迁移带的可能性.     

H3+nPMo12-nVnO40(n=0,1)掺杂聚苯胺功能材料新的 制备方法及性质

本文用一种新的合成方法,即不用其他质子酸和氧化剂,利用H3PMo12O40·nH2O和H4PMo11VO40·nH2O杂多酸独特的性质—集质子酸和氧化性于一身,将HPA直接与苯胺作用,制备了仅以杂多阴离子为唯一掺杂抗衡离子的PANI/HPA掺杂材料。所合成的材料具有导电性和荧光性。     

H3+nPM012-nVnO40(n=0,1)掺杂聚苯胺功能材料新的制备方法及性质

传统的聚苯胺/杂多酸(PANI/HPA)掺杂材料的化学制备方法是一步法和二步法[1].这两种方法由于使用了质子酸(如HCl)和氧化剂[如(NH4)2S2O8],不可避免地在材料中引入了与杂多阴离子竞争的抗衡阴离子(如Cl-,SO42-),使得掺杂材料的组成复杂,功能性能受到影响.本文用一种新的合成方法,即不用其他质子酸和氧化剂,利用H3PMo12O40@nH2O和H4PMo11VO40@nH2O杂多酸独特的性质--集质子酸和氧化性于一身,将HPA直接与苯胺作用,制备了仅以杂多阴离子为唯一掺杂抗衡离子的PANI/HPA掺杂材料.所合成的材料具有导电性和荧光性.     

多金属氧酸盐掺杂聚苯胺电子聚合物——多金属氧酸盐与HCl共掺杂聚苯胺HCl-SiW11Co/Pan的合成及其性质

多金属氧酸盐掺杂聚苯胺电子聚合物——多金属氧酸盐与HCl共掺杂聚苯胺HCl-SiW11Co/Pan的合成及其性质;聚苯胺;多金属氧酸盐;掺杂;光电磁性质     

重镧系离子在发光材料中的应用

讨论了Gd^3 ,Pb^3 ,Dy^3 ,Ho^3 ,Er^3 ,Tm^3 ,Yb^3 ,Yb^2 ,Lu^3 等重镧系离子的光谱性质及其在发光材料中的应用，尤其是在近期内的应用前景。