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对R3SiX(R=H、CH3;X=F、Cl、Br、I)与NR'3(R'=H、CH3)的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP/6-31g(d,p)基组下(X原子采用cep-121g基组)进行了两种加成方式的研究.一种是NR'3沿Si-X键轴向位置的加成,另一种是NR'3沿Si-X键侧向接近的加成.计算结果表明,前者更稳定且更容易形成加成物;Si上斥电子基团不利于Si-N键的形成,而N上斥电子基团则有利于Si-N键的形成;NH3-H3SiX系列和N(CH3)H3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成,NH3-H2(CH3)SiX系列仅能沿Si-X键轴向进行加成,而NH3H(CH3)2SiX和NH3-(CH3)3SiX系列两种方式都不能进行加成;在同系列加成产物中,以X=Cl时所得加成物最稳定.讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响,并对H3SiX(X=F、Cl、Br、D与NH3及N(CH3)3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论. 相似文献
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用从头算量子化学方法,在6-31G^*^*水平上对取代二硅炔及其异构体HYSi~2和Y~2Si~2(Y=F,Cl,Br,Li)的构型和稳定性进行了理论研究,详细讨论了取代基对各种异构体,尤其是对Si-SI键稳定性的影响。研究结果表明,亚硅基硅烯和双桥构型能量最低,是各种取代二硅炔及异构体的实验上可探测的构型;而经典的线型二硅炔构型能量高,是不稳定的。 相似文献
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利用量子化学从头算和密度泛函理论(DFT), 研究了硅炔和氢气分子加成生成甲硅烷基硅烯的反应机理. 在B3LYP/6-311G**水平上, 全参数优化了反应通道上各驻点(反应物、过渡态和产物)的几何构型, 计算出了它们的振动频率和零点振动能(ZPVE), 并对它们进行了振动分析, 以确定过渡态的真实性. 各物质总能量由QCISD(T)/6-311G**// B3LYP/6-311G**给出, 并对能量进行了零点能校正. 计算表明, 硅炔与氢分子加成反应可生成稳定的甲硅烷基硅烯. 热力学与动力学计算表明, 反应过程是一个放热、熵减少而自发趋势和反应程度较大的反应. 相似文献
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卤代硅烯异构化为卤代甲硅烷基硅烯的热力学与动力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用密度泛函理论(DFT) 中的B3LYP方法,全参数优化了卤代硅烯HXSi=SiXH(X=F、Cl、Br、I)异构化反应的反应物、产物及过渡态的几何构型,计算出了它们的振动频率、零点振动能(ZPVE)和总能量,并对它们进行了振动分析,以确定过渡态的真实性。又计算了反应的热力学函数变化,平衡常数及速率常数,比较了不同卤素对反应的影响。热力学与动力学计算结果表明,该异构化反应过程是一个放热的、且在低温下可自发进行的反应,但对于溴代硅烯和碘代硅烯而言,当温度达到1000 K时,反应开始转化为非自发反应。 相似文献
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对R3SiX(R=H、CH3; X=F、Cl、Br、I)与NR’3 (R’=H、CH3)的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP/6-31g(d,p)基组下(X原子采用cep-121g基组)进行了两种加成方式的研究. 一种是NR’3沿Si—X键轴向位置的加成, 另一种是NR’3沿Si—X键侧向接近的加成. 计算结果表明, 前者更稳定且更容易形成加成物; Si上斥电子基团不利于Si—N键的形成, 而N上斥电子基团则有利于Si—N键的形成; NH3-H3SiX系列和N(CH3)3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成, NH3-H2(CH3)SiX系列仅能沿Si—X键轴向进行加成, 而NH3-H(CH3)2SiX和NH3-(CH3)3SiX 系列两种方式都不能进行加成; 在同系列加成产物中, 以X=Cl时所得加成物最稳定. 讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响, 并对H3SiX(X=F、Cl、Br、I)与NH3及N(CH3)3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论. 相似文献
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三种或三种以上单体的多元共聚物和共混物是改造材料性能的极重要途径之一。多元共聚物与相应均聚物的多元共混物因微观结构的显著差别而引起性能上的很大差异。故如何利用一种简便快速的方法,鉴别体系是共聚物还是均聚物的共混物以及共聚物和共混物的组成、结构等与性能的关系是值得探讨的问题。 关于共聚物和共混物的组成及结构分析方法有多种,裂解色谱法(PGC)是简便易行的方法之一。本文采用居里点PGC研究苯乙烯(S)—甲基丙烯酸甲酯(MMA)—丙烯腈(AN)三元共聚物和三单体均聚物的共混物的组成分析,以及结构差异的鉴别等。 相似文献
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