掺杂硒修饰碳糊电极伏安法测定对乙酰氨基酚

采用循环伏安法制备了掺杂硒修饰碳糊电极,用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了对乙酰氨基酚在掺杂硒修饰碳糊电极上的电化学行为,建立了掺杂硒修饰碳糊电极测定对乙酰氨基酚的电化学方法。在pH 4.6的0.1mol·L-1乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,对乙酰氨基酚在+0.61V呈现一个灵敏的氧化峰。对乙酰氨基酚的浓度在6.0×10-7~1.5×10-4 mol·L-1范围内与其氧化峰电流呈线性关系,检出限(3s/k)为2.8×10-7 mol·L-1。方法用于药品中对乙酰氨基酚的测定,测定结果与药典法测定值相符,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.1%~2.5%之间。     

硒碳糊电极微分电位溶出法测定铜和铋

建立了掺杂硒碳糊电极同时测定铜和铋的微分电位溶出法。在HCl(0.05mol/L)中,在-0.3V(vs.Ag/AgCl)下,Cu2+和Bi3+电沉积在电极表面,再在溶液中溶解氧的作用下,铜和铋从电极表面溶出,分别于0.30V和0.02V获得灵敏的电位溶出峰。微分电位溶出峰高(dt/dE)与铜和铋的浓度成线性关系,线性范围为5.0×10-9～1.55×10-7mol/L,检出限分别为4.0×10-9和2.5×10-9mol/L(S/N=3)。方法用于实际样品中铜和铋的测定,结果令人满意。