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1.
采用静电纺丝技术获得聚丙烯腈(PAN)纳米纤维, 选用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为造孔剂, 在氮气气氛下1000 ℃高温碳化制备富介孔结构的含氮纳米碳纤维(MT-C). 研究结果表明, 当m(PVP)/m(PAN)为2∶1时, MT-C-0.4比表面积为190.8 m 2/g, 并且在0.05C倍率下首次放电比容量高达1269.4 mA·h/g, 在0.5C倍率下循环300周后比容量仍保持为658.3 mA·h/g, 每周容量衰减率为0.14%. 硫电极负载量为1 mg/cm 2时, MT-C表现出最佳的电化学性能.  相似文献   
2.
苏旺  胡全丽  刘景海 《应用化学》2023,(11):1457-1474
忆阻器是一种将电荷和磁通量关联起来的电路学基本元器件,在量纲上它与电阻相同,表现为随电压电流变换的非线性电阻变换行为。作为一种新型的非易失性存储器件,忆阻器具有结构简单、存储密度高和能够模拟生物神经突触等特性。因其独特的“记忆特性”,在阻变存储器、人工神经网络和非线性运算电路设计等领域被广泛的研究。其中,稀土基氧化物忆阻器因其更加稳定的性能和多元的应用前景,成为忆阻器研究关注的热门材料。但目前对于稀土氧化物材料,尤其对重稀土元素并没有较为全面的总结和归纳。因此,文章从忆阻器的结构、组成和电阻转换机理进行了论述。以元素为分类标准,系统地梳理从Y元素到Lu元素,国内外每种稀土氧化物以及稀土掺杂氧化物忆阻器在阻变存储器,人工神经网络等方面应用的重点工作。最后,对目前稀土基忆阻器研究遇到的问题和挑战进行了分析,总结了稀土基氧化物忆阻器优缺点,提出了目前可行的方法,并展望了发展趋势和应用潜力。  相似文献   
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