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分子筛基催化剂在多相催化研究领域具有重要的应用,但调控活性中心粒子的结构及其在分子筛上的空间位置仍比较困难,是科研界和工业界共同面临的巨大挑战。原子层沉积(ALD)是一种先进的薄膜沉积技术,利用其自限制生长优势,可在原子级别实现对金属粒子生长过程的精准调控。本工作综述了ALD技术在制备分子筛基催化剂方面的应用,主要包括利用ALD技术控制活性位点在分子筛上的生长落位、修饰分子筛骨架结构以及选择性沉积膜调变分子筛表面结构。利用ALD技术设计和调控活性组分结构促进了分子筛基催化剂的发展,但由于分子筛孔道结构复杂且存在缺陷位,因此,ALD技术在分子筛基催化剂的设计调控及大规模应用方面仍具有挑战性,也是今后研究工作的重点。 相似文献
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采用溶液燃烧法制备出PdO/PdO/Ce1-xPdxO2-δ (PdO/CP)和PdO/Ce1-x-yPdxZryO2-δ (PdO/CPZ)催化剂,通过硝酸处理去除催化剂表面的PdO物种得到对应的PdO/Ce1-xPdxO2-δ (CP)和Ce1-x-yPdxZryO2-δ (CPZ)催化剂。考究四种催化剂(PdO/CP、PdO/CPZ、CP、CPZ)对CO和CH4的氧化活性,并计算得出表面PdO和Pdn+物种的转化频率(TOF)。结果表明Zr的添加对PdO催化剂上CO和CH4的催化氧化活性具有不同的影响。Zr的添加对PdO/CPZ和CPZ催化剂的CO催化活性具有明显的促进作用,前者归因于PdO/CPZ催化剂表面生成了更小颗粒的PdO粒子,后者归因于CPZ催化剂中含有更多的氧空位。对于CH4的催化氧化,Pdn+物种起到关键的作用。由于Zr的掺杂导致CeO2的晶格中Pd物种的含量减少,致使PdO/CPZ催化剂和CPZ催化剂对CH4氧化活性的降低。 相似文献
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