氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究

ＨＦ与ＳｉＯ２的反应是一种亲核取代反应，但高温下此反应不能发生．当涂覆在ＳｉＯ２表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时，可以促进该反应的发生，这些化合物被称为诱蚀剂．诱蚀剂分三类：（１）三级胺与ＨＦ形成季铵盐得到浓度很高的氟阴离子使该反应很容易发生；（２）强的偶极非质子官能团化合物与ＨＦ中的氢形成氢键使氟的亲核活性增加，有助于该反应发生；（３）超强酸因其质子对ＳｉＯ２骨架中氧的牢固结合能力活化了反应的离去基团，对ＨＦ与ＳｉＯ２的亲核反应起到催化作用．聚合物膜对添加在其中的小分子诱蚀剂起到阻止逃逸的栅栏作用，而本身带有诱蚀官能团的聚合物可以同时充当成膜物及诱蚀剂的作用．通过光化学反应可以选择性地实现聚合物膜下ＨＦ与ＳｉＯ２的刻蚀反应．     

无显影气相光刻(DFVP)研究的进展

无显影气相光刻技术是我国在1980年发明的一种独特的光刻技术，具有不需要显影，分辨率高等优点，但它的机理并不清楚，本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果，实验证明，无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱恂剂浓度差为基础的方法；而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度关匠方法，由于两者的光刻原理不同，导致了他们间光刻效果和应用范围之区别，所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的呼种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展，克服技术中存在的问题。