Cr,Fe,Cu/Al2O3界面化学结构的光电子能谱

应用Ｘ－射线光电子能谱，通过离子刻蚀，原位研究第四周期过渡金属与氧化铝所形成界面的化学状态，结果表明，Ｃｒ，Ｆｅ在界面处有不同程度的氧化，氧化程度Ｃｒ＞Ｆｅ，而Ｃｕ则无明显氧化。化学成份的定量分析表明，界面过渡层的厚度与界面化学反应强弱直接相关。     

InGaAsP／InP异质结构材料组分,结构的准确测定与综合分析

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。     

环氧树脂/玻璃纤维复合界面的电子能谱化学分析

采用化学分析用电子能谱技术分别对机械剥离后的玻璃纤维布和短切玻璃纤维增强环氧树脂试样的玻璃纤维面作了对比分析,发现树脂残留物表面上有富裕的环氧基,证明剥离不是发生在树脂／玻璃纤维（布）粘结界面上,而是发生在粘结界面附近的树脂层里;环氧树脂／玻璃纤维布界面比环氧树脂／短切玻璃纤维界面有更强的界面增强效应。     

扫描定点法在Si/Mo多层膜材料深度剖面分析中的应用

用对比方式对分割成二等分的同一Ｓｉ／Ｍｏ多层非晶薄膜样品分别作了ＲＡＳ－ＰＯＩＮＴ ＭＯＤＥ和ＰＯＩＮＴ ＭＯＤＥ的二次离子质谱深度剖面分析,前者是把ＲＡＳ ＭＯＤＥ（扫描法）与ＰＯＩＮＴ ＭＯＤＥ（定点法）有效结合起来的一种方法,即所谓扫描一定点法。实验证明,扫描一定点法有效地克服了弹坑效应（Ｃｒａｔｅｒ ｅｆｆｓｃｔｓ）。     

XPS谱最大熵退卷积

阐述了ＸＰＳ谱线退卷积的必要性，传统傅里叶变换退卷积的弊病，ＭＥＭ最大退卷积的原理、方法和优越性；重点说明了ＭＥＭ退卷积中如何选择最佳抽样点数的原理和方法，介绍了所研制的ＭＥＭ最大熵退卷积计算机软件系统在 ＸＰＳ谱线退卷积中的应用情况，显示了这一方法在ＸＰＳ谱退卷积中所带来的突破性进展。     

金属(Ti,Ni)/(0001)Al~2O~3界面电子结构的光电子能谱研究

采用离子减薄结合X射线光电子能谱方法原位对金属-陶瓷界面的电子结构进行研究, 其结果表明在界面处, 对Ti/Al~2O~3体系, 有氧化态的Ti, 同时发现部分的Al^3^+被还原; 对Ni/Al~2O~3体系, 在经退火处理后, 界面处Ni有多种结合态存在。本文结果与理论分析相一致, 对其它的实验结果给予了较好的解析。