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1.
潘传智 《大学化学》1988,3(1):14-16
本文提出将状态性质的加和性分为三种:部分加和性、组分加和性和基因加和性。这样分类后,容量性质和强度性质的区别与联系更加清晰。凡容量性质必定具有部分加和性,而强度性质必定没有部分加和性。因此,用有无部分加和性来区分状态性质为容量性质和强度性质是最确切的,不易引起误解。部分加和性就是通常说“容量性质在一定条件下有加和性”的那种加和性。  相似文献   
2.
氯离子对铜或黄铜表面膜半导体性质的影响   总被引:4,自引:1,他引:4  
Di Quarto等对Cu在弱酸性溶液中氧化膜层的光电化学进行了较为广泛的研究.关于Cl~-离子的影响,他们认为,在低浓度下([Cl~-]≤5×10~(-2)mol·L~(-1),即质量比0.0029),仅增加Cu 电极的腐蚀速度,而不影响Cu 电极表而氧化层Cu_2O 的半导体特性.但尚未见细致的工作报导:Cl~-离子浓度究竟达到多大时能对Cu 电极氧化膜层的半导体特性产生影响?我们在弱碱性溶液中逐步添加Cl~-,通过在周期性光照(14Hz)下,用锁定放大器测得的光电流i_(ph)对E 的关系,来研究Cl~-对铜或黄铜表面膜层半导体性质的影响.  相似文献   
3.
铜电极光电响应p型转变为n型的机理探讨   总被引:8,自引:0,他引:8  
用动电位扫描和η(量子效率)~hv关系研究了钢电极在含或不含氯离子的硼砂-硼酸缓冲溶液中的电化学和光电化学行为.当溶液中不含氧离子时,铜电极呈p型光响应;相当量的氯离子存在时,光响应从p型转变为n型. 研究表明p→n的转型不是由于电极表面生成了化合物CuCl,而应归因于氯离子对Cu2O膜的掺杂.  相似文献   
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