无机盐添加剂对纳米WO3/rGO气敏性能的影响

通过微波辅助气-液界面法制备了WO3/rGO复合纳米材料,并以无机盐KCl、NaCl、MgCl2、AlCl3为添加剂,将无机盐离子(K+、Na+、Mg2+、Al3+)成功地添加到WO3/rGO纳米材料当中,无机盐离子有效地改变了WO3/rGO纳米颗粒的尺寸,提高了WO3/rGO纳米材料的气敏性能.含有MgCl2添加剂的WO3/rGO的气敏性能最好,在180℃时其对5 ppm NOx的灵敏度值可达301.1,响应/恢复时间仅为3 s/21 s,并且将WO3/rGO的最佳工作温度由210℃降低到了180℃.     

手性糖基锌卟啉对手性氨基酸甲酯的分子识别

合成了手性四糖基取代锌卟啉(Zn-A)的三种阻转异构体αβαβ-Zn-A、ααββ-Zn-A和αααβ-Zn-A以及一种单糖基取代锌卟啉(Zn-B), 并通过可见光谱滴定法和圆二色(CD)光谱滴定法研究了它们对手性氨基酸甲酯(L/D-LeuOMe, L/D-ThrOMe, L/D-ValOMe和L/D-PheOMe)客体的分子识别行为. 研究发现, 三种锌卟啉对L型氨基酸甲酯的缔合常数均要高于D型, 其中ααββ-Zn-A的对映体选择性(K_L/K_D)最高可达4.75, 可用于L型氨基酸甲酯的选择性识别. 不同的Zn-A 阻转异构体对手性氨基酸甲酯的缔合常数给出相同的顺序:K^θ(LeuOMe) > K^θ(ValOMe) > K^θ(ThrOMe) > K^θ(PheOMe);主体Zn-B对手性氨基酸分子的缔合常数顺序为K^θ(PheOMe) > K^θ(LeuOMe) > K^θ(ValOMe) > K^θ(ThrOMe). 同时, 以咪唑为探针分子研究了非手性分子对Zn-A构象的影响, 发现非手性分子咪唑与手性主体结合后, 也可对主体的构象产生影响. Zn-A的三种阻转异构体与氨基酸甲酯和咪唑类客体的缔合常数关系均为K^θ(ααββ-Zn-A) > K^θ(αβαβ-Zn-A) > K^θ(αααβ-Zn-A).     

SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究

SiC晶片研磨加工表面层损伤深度直接影响后续抛光加工的成本和效率,但SiC单晶是典型的难加工材料,亚表面损伤检测极为困难.文中利用截面显微检测技术对SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度进行了检测分析,并研究了研磨方式、工艺参数对损伤深度的影响及晶片上损伤深度的分布规律.结果表明,同样的研磨工艺参数条件下,固结磨料研磨SiC晶片损伤深度略小于游离磨料研磨晶片的损伤深度.固结磨料研磨时,随着磨料粒度从W7增大到W28,损伤深度由3.0 μm增大到4.7 μm.随着研磨压力从1 psi增大到3 psi,晶片损伤深度从4.1 μm增大到4.9 μm.在整个晶片上,损伤深度由中心向边缘沿径向逐渐增大,增大幅度约为0.6～1.0 μm.     

固结磨料研磨SiC晶片亚表面损伤截面显微检测技术

本文对采用截面显微检测法检测SiC晶片亚表面损伤时样品的制备、腐蚀液配方及腐蚀环境进行了系统地研究,并重点分析了固结磨料研磨SiC晶片(0001) Si面和(0001)C面亚表面损伤的深度及微裂纹构型.结果表明,采用腐蚀液配方为KOH:K2CO3 =20 g∶1 g,在420℃下腐蚀3min时亚表面损伤观测效果较好.在研磨压力为2 psi、金刚石磨粒粒径14 μm时,固结磨料研磨SiC晶片的亚表面损伤层深度约为2.6 μn,亚表面微裂纹构型有垂线状、斜线状、钩状、叉状、树枝状、人字状以及横线状.在相同的加工条件下,SiC晶片的(0001) Si面和(0001)C面的损伤深度基本相同.