钼酸锶基二元固溶体粉末的化学溶液沉积法制备及其发光特性研究

采用化学溶液沉积(CSD)技术,用廉价的无机盐(SrCO3、(NH4)6Mo7O24 · 4H2O)为主要初始原料、常见的有机试剂(丙三醇、冰乙酸和乙二醇甲醚)为溶剂,成功地制备了Ca0.7Sr0.3MoO4和Ba0.3Sr0.7MoO4两类具有白钨矿结构的二元固溶体粉末,并对两种粉体的结构、形貌、颗粒分布以及室温光致发光性能进行了测试.研究表明,两类钼酸锶基固溶体粉末都具有单一的四方相结构,且固溶特性良好,没有检测到明显的杂质峰;固溶体粉末的形貌和尺寸与粉体的成分密切相关,Ca0.7Sr0.3MoO4粉体的晶粒较小,为纳米量级,而Ba0.3Sr0.7MoO4粉体呈现明显的四棱锥外观,晶粒尺寸较大,为微米量级;两类粉末均呈现宽带发光特性,最大发光波长位于蓝绿光波段;Ca0.7Sr0.3MoO4粉体在室温下的发光强度较高,而Ba0.3Sr0.7MoO4粉体在同样条件下的发光强度极其微弱.     

CuInS2/CdS基掺杂纳米晶的晶体结构、光谱性质及性能调控研究

多功能纳米晶的制备、性能及其应用是材料、化学、能源、生物医学等领域十分关注的课题之一。基于掺杂调控纳米晶生长和性能的思想,发展了纳米晶修饰和复合的概念和技术,使用绿色安全的化学溶液法结合外延生长技术合成了巯基丙酸(MPA)包覆的掺杂CuInS₂/CdS基纳米晶材料。通过适当调整掺杂异价离子的种类,实现了对CuInS₂/CdS基纳米晶显微结构和性能的调控,获得了具有特定相结构、组分、尺度和光学性能(吸收性质、光学带隙、发光强度)的纳米晶。存在于基质晶体中不同金属掺杂离子,会造成半导体的禁带中间产生掺杂能级,导致二次跃迁,进而产物体现出不同的禁带宽度。掺杂Co ²⁺、Fe ²⁺、Er ³⁺离子的CuInS₂/CdS纳米晶光致发光(PL)峰强度降低明显,这是由于Co ²⁺、Fe ²⁺、Er ³⁺离子掺杂有效地抑制了空穴-电子对的复合,降低了纳米晶的光生电子-空穴复合几率,使得其光催化活性得到增强。这些半导体纳米材料在光催化、能量转换与储存方面具有良好的应用潜力。