环状芴基张力半导体拉曼光谱理论与实验研究

环状芴基张力半导体由于其特殊的分子结构，发射状排布的p轨道和纳米级空腔等诸多特点，引起了科学家广泛的关注.相对于直链型芴基半导体，环状芴基张力半导体展现出独特的光电性质.然而，迄今为止其振动性质没有被报道.对四元环芴的晶体与直链四聚芴粉末样品进行拉曼光谱表征和归一化处理，并结合理论计算.结果表明，与直链寡聚芴相比，环芴类似于碳纳米管的G峰发生了偏移，并且低频区域拉曼频移峰的峰强增加.其原因是由于张力的引入，改变了芴基主链的骨架和电子结构，加强芴骨架上π电子离域，同时使环芴中每个芴单元都参与到振动中.该研究结果为芴基张力半导体材料拉曼光谱的研究提供了一定的工作基础.     

钽掺杂氧化钨薄膜电致变色性能

为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性,采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、光谱椭偏仪(SE)、紫外-可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、循环稳定性进行了表征和分析,研究了钽掺杂对氧化钨薄膜结构及电致变色性能的影响。结果表明,适量掺杂可以调节薄膜的微观结构,使薄膜中的裂纹减少,表面更为均匀;但当掺杂过度时,薄膜太过致密,甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象,影响了薄膜的多孔性和均匀性,阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散;相对于未掺杂的氧化钨薄膜,适量钽掺杂的薄膜具有更宽的光谱调制范围和更高的着色效率,亦表现出良好的循环稳定性。     

氰基取代的螺芴氧杂蒽衍生物:激基复合物发光与性质调控

热活化延迟荧光分子因具有高效发光、价格低廉等优点,在发展有机发光二极管方面显示出巨大潜力.与单分子相比,激基复合物容易实现小的单线态-三线态能隙差,在开发延迟荧光材料方面备受关注.然而,相应受体材料的种类仍较为稀少,且激基复合物延迟荧光性质与受体材料结构之间的关系还需深入探讨.本工作设计合成出两个新型的基于螺芴氧杂蒽的电子受体材料（CNSFDBX和DCNSFDBX）.结果表明,它们与给体材料TCTA掺杂后均呈现激基复合物发射,其中TCTA：DCNSFDBX掺杂体系显示更高的发光效率,其原因归结为双氰基取代使得DCNSFDBX具有更强的接收电子的能力.该工作为开发新型电子受体材料用于激基复合物延迟荧光提供了思路.     

基于氰基化9-苯基芴衍生物的激基复合物发光与性质研究

激基复合物发光器件因给、受体材料掺杂比例易调且易实现小的单线态-三线态能隙差等优势, 在发展工艺简单、性能高效的有机发光二极管方面显示出很大的应用潜力. 针对目前激基复合物受体材料的种类仍较为匮乏, 器件性能仍需改善等问题, 本工作设计合成出新型基于9-苯基芴的电子受体材料(TCNDPFCz)用于构筑激基复合物发光器件. 实验表明, 受体分子TCNDPFCz与给体分子1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane (TAPC)掺杂后(TAPC: TCNDPFCz)呈现明显的激基复合物发光, 其光致发光效率为54%, 电流效率为27.2 cd•A^‒1, 功率效率为32.9 lm•W^‒1, 外量子效率为12.5%. 经分析, 我们推测激基复合物TAPC:TCNDPFCz形成的过程得益于TCNDPFCz具有很强的吸电子能力. 本工作表明9-苯基芴可以作为骨架单元来构筑受体分子, 为开发新型电子受体材料提供了新策略.