冷等离子体制备色谱用键合固定相的研究——工艺部分

 ]考察了放电功率、反应时间、工作气压力、流速、载体粒度、固定液溶剂及贮存时间等工艺条件，进一步获得一些等离子体反应的规律。研究成功的冷等离子体反应制备键合固定相的新工艺具有耗时短、污染少、重现性良好等优点。     

医用聚氯乙烯膜的等离子体表面改性

用两种不同气氛的辉光放电等离子体工艺对医用软质聚氯乙烯（ＰＶＣ）膜进行了表面改性研究。结果表明，聚合性气氛的等离子体改性效果明显优于非聚合性气氛。平整致密的聚合膜对ＰＶＣ增塑剂——邻苯二甲酸二辛酯的迁移和扩散起了阻挡作用，也使膜表面亲水性和表面张力极性成份增大，液固相界面张力减小，生物相容性得以改善。     

等离子体聚合四丁基锡薄膜的制备和结构

研究了Ａｒ和Ａｒ／Ｏ＿２混合气携带四丁基锡的等离子体聚合规律和膜的组成、结构，分别得到低碳氢含量的金属Ｓｎ和ＳｎＯ＿ｘ共混膜。     

工作气氛和偏压对含铁聚合物杂混薄膜制备的影响

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积（ＰＥＭＯＣＶＤ）工艺，在氧化性气氛（Ｏ２）和非氧化性气氛（Ｈ２、Ａｒ）中制备了含铁聚合物杂混薄膜。探讨了工作气氛和偏压对膜密度、沉积速率及其分布的影响。     

间接等离子体聚合制备聚吡咯薄膜

通过吡咯在氩辉光放电气流下游区域的间接等离子体聚合作用制备了聚吡咯薄膜。研究了聚合膜的沉积速率，用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＤ等手段表征了聚合膜的结构和形态。结果表明，聚合膜完整地保留了吡咯单体的共轭结构，显示出较高的导电性，化学掺杂碘以后膜的室温电导率为１０－７～１０－６Ｓ／ｃｍ。     

六甲基二硅胺烷的等离子体聚合

在室温和无添加气体条件下,完成了六甲基二硅胺烷较低功率密度的等寒子体聚合。研究了聚合膜的沉积规律和过程。给出了聚合物膜的结构和性质。得到经验式为 C_(1.42)H_(2.65)N_(0.2)O_(0.15)Si的新聚合物。     

等离子体气相沉积有机硅绝缘钝化膜

本文介绍了等离子体气相沉积有机硅绝缘钝化膜的制备、性质和结构，以及在晶体管芯柱中的应用结果、解释了绝缘钝化机理。     

掺银SnOx薄膜的催化作用

掺银ＳｎＯ_ｘ薄膜的催化作用张勇，周坤粦，曹伟民（中国科学院成都有机化学研究所成都６１００４１）关键词气敏薄膜，表面掺杂，催化ＳｎＯ２是重要的气敏传感材料，采用纳米技术，可使元件微型化、集成化，并可提高灵敏度。本文以等离子体增强化学气相沉积法制得超微?..     

二甲基甲酰胺在聚乙烯膜表面的等离子体聚合

通过二甲基甲酰胺的等离子体聚合作用，对聚乙烯膜进行表面改性。研究了等离子体工艺参数对聚合物膜沉积速度的影响，用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ分析了聚合物膜的组成结构，测定了改性聚乙烯膜的接触角和表面。     

冷等离子体制备铝的氧化物膜

冷等离子体制备铝的氧化物膜张勇，周坤，曹伟民，文晓刚（中国科学院成都有机化学研究所，成都，６１００４１）氧化铝是一种重要的无机材料，在微电子工业、机械工业及化学工业等方面有着广泛的应用前景。采用冷等离子体制备的氧化铝膜具有独特的性能：采用干法制膜，升...