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低电流密度下恒电流法制备的聚苯胺修饰电极 总被引:3,自引:1,他引:3
研究了低电流密度下恒电流法制备的聚苯(PA)修饰电极的性质及其影响因素,探讨了低电流密度聚合的PA膜的优点。发现此种条件下聚合的PA膜具有较好的电荷传输能力,它不仅对Br^-,Tl^+/Tl等电对的氧化还原反应有更好的电催化活性,而且对H^+的Nernast响应也更接近理论值。 相似文献
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有机锗(锗-132)的示差脉冲极谱研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用示差脉冲极谱法,在pH1.30H_2SO_4和3,4-二羟基苯甲醛(DHB)底液中,获得了有机锗(Ge-132)和无机锗Ge(Ⅳ)二个配位吸附极谱波,波峰分别为E_P2-0.62V和E_pl=-0.47V(υs.AgCI/Ag),Ge-132浓度在2.6×10_(-5)~3.1×10_(-3)mol/L范围内,Ge(Ⅳ)浓度在 3.1×10_(-5)~2.1×10_(-4)mol/L范围内分别与峰电流星线性关系.利用该示差脉冲极谱法可同时测定Ge-132和Ge(Ⅳ),用于有机锗营养口服液中Ge-132和Ge(Ⅳ)的测定结果满意.还探讨了Ge-132极谱波的性质,测定了有关动力学参数. 相似文献
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催化反应在极谱分析中的应用及反应速率常数的测定已有报道。通常根据Koutecky公式计算催化反应速率常数,而反应活化能则由不同温度下测定的速率常数,按照Arrhenius公式计算。我们根据前文提出的可逆、不可逆、准可逆、动力和催化过程各种极谱电流——温度关系的普遍方程式,测定了Ti(Ⅳ)-H_2SO_4H_2C_2O_4-KClO_3、Mo(Ⅳ)-H_2SO_4-NaNO_3、Mo(Ⅵ)-H_2SO_4-NH_4NO_3体系催化反应速率常数和反应活化能(或表观活化能),结果令人满意。 相似文献
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硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血酸的电催化氧化 总被引:6,自引:0,他引:6
将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上,制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极,并用电化学方法研究了它的电化学性质.循环伏安图显示其在pH=7.7的磷酸盐缓冲液中,于-0.45~+0.50V(vs.SCE)范围内有2对氧化还原峰.峰电位分别为Epa1=214mV。Epc1=82mV,Epa2=-75mV,Epc2=-160mV(vs.SCE).pH在5.0~9.0范围内,峰1有2个质子参与反应,峰2有1个质子参与反应.它的表面电子转移速率常数ks=0.02S-1.此膜对抗坏血酸的氧化有催化作用,其氧化过电位较在裸金电极上降低了约250mV.催化电流与抗坏血酸的浓度在1.0×10-6~4.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系.抗坏血酸催化氧化的异相速率常数为2.68×10-3cm/s. 相似文献
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用恒电流法在盐酸介质中以最佳聚合条件将聚苯胺修饰在Pt微盘电极上。制得的聚苯胺修饰微盘电极对pH有能斯特响应,稳定性好,用于样品测定,结果满意。 相似文献