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利用密度泛函理论研究了气体分子(NH3, H2O, H2S, NO2)吸附在二维M3(HIB)2(M=Ni, Cu; HIB为六亚氨基苯)薄膜上体系的几何结构和电子结构的变化. 结果表明, 2种薄膜对气体分子的响应不同. 其中NH3, H2O和H2S在M3(HIB)2薄膜表面的吸附较弱, 主要与薄膜的亚氨基形成氢键, 吸附能均小于-0.36 eV, 吸附对体系电子性质的影响很小. 但是 NO2分子在薄膜表面形成化学吸附, 吸附能在-0.65~-1.72 eV范围内. 吸附NO2分子使其电子结构发生明显改变, 如Cu3(HIB)2在费米能级处打开带隙, 由金属性质转变为半导体性质. 这是由于NO2分子的pz轨道与金属原子$d_{z}^{2}$ 轨道发生了强烈的轨道杂化. 此外, 研究发现高浓度的NO2分子吸附能够使Ni3(HIB)2薄膜由非磁性变为磁性体系, 由普通金属性质变为半金属性质; 而高浓度的NO2分子使Cu3(HIB)2薄膜由金属性质变为半导体性质, 薄膜电导率降低.  相似文献   
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