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以水热合成法制备的一维取向n型ZnO纳米线阵列为衬底,采用电化学沉积法在其上沉积生长一层p型Cu2O半导体包覆层,制备出了新型ZnO/Cu2O异质结纳米线阵列光敏器件.利用XRD、SEM、TEM、XPS、PL及光响应特性等测试方法对样品的形貌、晶体结构、化学成分及光电特性进行了分析表征.研究了生长条件对ZnO/Cu2O异质结纳米线阵列各种特性的影响.研究发现,适宜的沉积电压和沉积时间是保证ZnO/Cu2O异质结光敏器件具有适宜厚度核壳包覆层及较好光响应特性的关键因素.研究结果为ZnO及Cu2O半导体材料在光敏器件中的应用提供了实验基础. 相似文献
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对模型精度与稳健性的要求使得异常值检测与稳健估计在模型构建中变得日益重要.本文首先利用基于边际相关系数构造的高维影响度量指标(HIM)与基于距离相关系数构造的高维数据异常值判别方法(HDC)分别对数据中的异常值进行初步检测,将数据集中的点分为正常点与异常点两类,然后在初始正常点集的基础上利用稳健的参数估计方法和残差空间... 相似文献
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