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1.
采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理,平行于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.83 kOe,达到22.74 kOe,垂直于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.86 kOe,达到22.77 kOe。通过对磁体的不同位置的Hcj进行分析,在距表层500~750μm处获得最大Hcj为26.77kOe。对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析,发现在表层有较高的O富集,进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构,磁体性能和热稳定性产生了影响,得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素。  相似文献   
2.
通过在制粉阶段添加微量ZrB2粉末的方法,制备了Sm(Co0.717Cu0.1Fe0.15Zr0.033)7.2(ZrB2)x(x=0~0.025)烧结磁体.采用扫描电子显微镜、能谱分析和X射线衍射分析磁体的微观组织及相组成,利用NIM-2000型直流磁性测量仪测试磁体的磁性能,研究了添加ZrB2对永磁体组织性能的影响.结果表明: 适量添加ZrB2可以降低磁体的烧结温度; ZrB2发生部分分解会影响合金组织与结构,使合金室温磁性能和高温稳定性都有不同程度的提高; 没有分解的ZrB2颗粒以质点的形式存在,使磁体的断裂韧性值大幅度增加.  相似文献   
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