钴的光度分析方法进展

综述了近十多年来国内外钴的光度分析方法,包括分光光度法、催化光度法、原子吸收光度法等。     

示波极谱法直接快速测定痕量锑的研究

在0.06 mol.L-1硫酸溶液中,Sb(Ⅲ)与焦性没食子酸络合物产生一个灵敏的导数极谱波,峰电位为-0.4 V(vs.SCE),有微量Se(Ⅳ)存在下,灵敏度大为提高,锑浓度在0.03~1.2 mg.L-1范围内峰高与浓度呈线性关系,应用于锌电解液中痕量锑的测定。检出限为0.004 mg.L-1,RSD为1.8%~2.2%,回收率为95.0%~105.0%。     

板栗内皮对水溶液中镉离子和铅离子的吸附

研究了板栗内皮对水溶液中金属离子(Cd²⁺,Pb²⁺)的吸附过程,以及吸附过程中不同条件对其吸附能力的影响。通过对反应时间、温度、pH、初始金属离子浓度等因素的控制,设计不同单一变量确定在不同条件下的吸附能力,利用红外光谱确定板栗内皮上参与反应的主要基团。结果表明,板栗内皮吸附Cd²⁺,Pb²⁺理论最佳吸附条件分别为pH 4.6和pH 5.0,吸附时间5.3 h和4.5 h,吸附温度53.80℃和43.09℃。在此吸附条件下,Cd²⁺和Pb²⁺的理论吸附率为98.91%与98.39%,实际吸附率为96.89%与97.84%。红外光谱分析表明其作用的主要基团为-C≡C-,C=O与C-H;通过动力学方程拟合,得出微观吸附过程符合准二级动力学模型。     

碳糊修饰电极吸附伏安法测定食品中的锑

研制了溴邻苯三酚红 (BPR)作修饰剂的碳糊修饰电极 ,并用此电极作工作电极建立了测定痕量锑的吸附伏安法。在选定的实验条件下 ,峰电流与Sb(Ⅲ )浓度在 8.0× 1 0 -9～ 2 .0× 1 0 -7mol L范围内呈线性关系 ,检出限为 2 .0×1 0 -9mol L ,1 0次测定相对标准偏差为 2 .0 % ,不用分离 ,可直接测定食品中痕量Sb(Ⅲ ) ,测定的回收率为 90 %～ 1 0 3%。     

溴邻苯三酚红修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量锑

研制了溴邻苯三酚红(BPR)作修饰剂的碳糊修饰电极,并采用所制备的电极做工作电极建立了测定锑的方法。测定了电活性络合物的组成,并探讨了电极反应机理。该方法已用于锌电解液中痕量锑的测定,结果满意,检出限为2.0×10-8 mol/L。     

生物样品中痕量铬的直接快速极谱测定

1　引　　言微量铬的测定常用比色法和原子吸收分光光度法 ,但灵敏度不高。本实验为寻找一个灵敏、快速的测定痕量铬的新的极谱测定体系进行实验研究。结果表明 :在 0 .2 4mol/LNaNO2 4× 10 -5mol/L 2 ,2′ 联吡啶 1.6× 10 -5mol/L溴化十六烷基三甲铵 (CTMAB) (pH 8.0 )体系中 ,铬 在 - 1.39V(vs·SCE)附近有一灵敏、尖锐的二阶导数峰 ,其峰电流与Cr 浓度在 0～ 0 .0 2 0mg/L范围内有良好的线性关系。据此建立了测定生物样品猪肝及猪肾中痕量铬的简便方法。2　实验部分2 .1　仪器与试剂　JP 30 3型示波极谱仪 (成都仪器厂 ) ,…     

吸附伏安法测定纯铝中痕量钛

在盐酸溶液中，钛（Ⅳ）与钽试剂（BPHA）络合物在－0．3V（vs．SCE）或开路情况下吸附于玻璃碳电极表面，在－0．3－－0．8V范围内以250mV.s^-1进行扫描溶出，峰电位为－0．57V，钛（Ⅳ）浓度在1－35ng.ml^-1(-0.3V)下富集2min和0.06-2ng.ml^-1（开路富集4min）范围内与峰电流呈良好的线性关系，体系选择好，灵敏度高，操作简单，用于纯铝中痕量钛的测定，重现性好，结果准确。     

基于硫代黄素T诱导G-四联体构成的生物传感器检测铅离子

硫代黄素T(ThT)荧光分子在自由状态下荧光强度很弱, 通过在Tris-HCl缓冲液中加入Pb²⁺的适配体即富含G的DNA序列, 可与ThT荧光分子形成G-四联体结构, 使荧光信号迅速增强; 向溶液中加入Pb²⁺, Pb²⁺与其适配体有很好的结合特异性, 可生成更牢固的G-四联体结构, 使ThT分子被释放出来, 导致溶液的荧光强度降低, 基于此可检测溶液中的Pb²⁺离子. 实验中优化了缓冲溶液组成、 ThT荧光分子浓度、 Pb²⁺适配体浓度及反应时间等条件. 结果表明, 在10 mmol/L Tris-HCl(pH=8.3, 含2 mmol/L MgCl₂)缓冲溶液中, ThT荧光分子和Pb²⁺适配体的浓度分别为10 μmol/L和200 nmol/L, 反应10 min时, 随着溶液中Pb ²⁺浓度的增加, 荧光强度减弱. Pb²⁺浓度在20~1000 nmol/L范围内时, 荧光强度与Pb²⁺的浓度呈现良好的线性关系(R²=0.9941), 检出限为1 nmol/L. 实际水样测试结果表明, 该方法的回收率在98.8%~101.3%之间. 该传感器灵敏、 快速、 无需化学修饰荧光分子且成本低.     

直接合成法制备CdSe@SiO2荧光纳米材料

以3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPS)为修饰剂,直接法制备得到闪锌矿结构的CdSe@SiO2核-壳型量子点,该方法简化了制备硅烷化核-壳型量子点的流程,缩短了制备的时间.用荧光分光光度计,透射电子显微镜,X射线粉末衍射仪等分析测试方法对得到的核-壳型核-壳型量子点的性能进行表征.结果表明:n(Cd2+):n(SeSO2-3)和反应体系Ph值,对纳米晶的光学性质具有显著影响.在最佳合成条件下得到的CdTe@SiO2纳米粒子的平均粒径约为20nm,其大小均匀.与CdSe纳米粒子相比,CdSe@SiO2核-壳型量子点光化学性能较稳定,常温下可以放置半年以上.SiO2包覆的CdSe纳米粒子有效地提高了核-壳型量子点的稳定性,大大增强了其抗光漂白性能.     

TGA-CdTe量子点在荧光探针方面应用

以巯基乙酸(TGA)为稳定剂,在加热回流氮气保护条件下制备CdTe量子点,用荧光分光光度计、透射电子显微镜和X射线粉末衍射仪对CdTe量子点进行表征.以该量子点为荧光探针,完善荧光淬灭法测定Cu2+、Hg2和Ag+等重金属离子的方法.考察缓冲溶液的pH值、反应时间、量子点浓度、量子点的稳定性和干扰离子等多种因素对重金属离子测定的影响.在pH值为6.2的三羟甲基氨基甲烷(tris)-盐酸缓冲溶液中,当量子点的浓度为4.2×10-2 μg/L和反应时间为30 min时,测得Cu2、Hg2+和Ag+的线性区间分别为2.3 ～250 μg、3.2～300 μg和4.3～ 150μg,检测下限分别为0.28 μg/L、0.53 μg/L和0.35 μg/L.并发现只有当所测量的重金属离子能与所采用的量子点能生成更难溶于水的沉淀才能引起量子点的荧光淬火,从而可以对此类重金属离子进行定量检测.