硅纳米线的制备及应用研究进展

介绍了硅纳米线在制备技术方面的最新进展,综述了硅纳米线两种不同的生长模式("自上而下"和"自下而上"),以及在两种生长模式下硅纳米线的制备方法,即化学气相沉积、分子束外延、激光烧蚀、氧化物辅助生长、溶液法、电子束光刻、纳米压印光刻和金属辅助化学刻蚀等,并对各种方法的优缺点进行了仔细叙述,总结了硅纳米线的两种典型生长方向(平面和垂直)的研究现状.最后阐述了近年来硅纳米线在电子器件、传感器件和太阳能电池的应用情况,并展望其发展趋势,为科研人员进一步开拓硅纳米线研究提供一定参考.     

质谱联用仪数据处理实例：Origin软件关联程序升温氧化

2种仪器关联产生的实验数据往往不能够一一对应，在作图时需要对实验数据进行处理。线性插值法是处理这些数据常用的方法。然而，该方法误差大且需耗费大量的人力。借助Origin软件的图层及平移功能，以TPO-MS实验为例，高效精确地实现了对温度-质谱信号数据的关联。