Co-W合金镀层表面氧化膜在碱性体系中的电化学研究

采用电化学手段以及Mott-Schottky理论, 并结合氧化膜点缺陷模型(PDM)分析研究了Co-W合金镀层在1 mol• L^－1 NaOH溶液中表面氧化膜的半导体性质, 并分别计算出了不同W含量的Co-W合金镀层在－0.15, －0.25和－0.35 V三个不同电位下阳极氧化后氧化膜的供体密度、平带电位及氧空穴扩散系数. 结果表明, Co-W合金镀层在1 mol•L^－1 NaOH溶液中表面氧化膜的Mott-Schottky曲线线性区斜率为正, 表现出N型半导体性质|随着阳极氧化电位的升高或合金镀层W含量的降低, 氧化膜供体密度N_D逐渐增大, 导致氧化膜被破坏或发生点蚀的几率升高|随着阳极氧化电位的降低或合金镀层W含量的降低, 氧化膜平带电位呈降低趋势, 说明其耐蚀性升高|不同W含量的Co-W合金镀层在三个不同电位下阳极氧化后的氧化膜的氧空穴扩散系数为(1.543～8.533)×10^－14 cm²•s^－1.     

阵列微电极研究Nd~(3+)对金属铜在3.5% NaCl溶液中腐蚀电化学行为的影响

利用阵列微电极技术测量了金属铜的自腐蚀电位、阻抗及表面腐蚀产物膜层载流子密度,并结合扫描电子显微镜,研究了Nd3+对金属铜在3.5%(w)NaCl溶液中腐蚀电化学行为的影响.结果表明,加入Nd3+使得金属铜表面生成的腐蚀产物膜层的形貌及结构发生了变化,腐蚀产物膜层变薄,腐蚀产物由片状结构转变为粒状结构,颗粒均匀分散分布;Nd3+的存在使得金属铜表面各区域的电位方差由0.034下降为0.026,阻抗标准方差由32805下降为6940,电位及阻抗分布趋于均匀化,有利于抑制局部腐蚀的发生;并且加入Nd3+将造成金属铜表面绝大部分区域腐蚀产物膜层的半导体类型由n型转变为p型,表面腐蚀产物膜层载流子密度标准方差由1.89×1017上升为4.10×1017,载流子密度分布趋于不均匀.     

镁合金在含F－的NaOH溶液中钝化行为的电化学研究

采用极化曲线、电容-电位曲线、Mott-Schottky分析以及电化学阻抗(EIS)等电化学方法研究了镁合金在含F^－ NaOH溶液中的阳极钝化行为. 结果表明, 在－1.2～1.8 V的电位范围内, 镁合金在含F^－的NaOH溶液中发生阳极钝化. 所形成的钝化膜表现出n型半导体的导电特性. 在0.7～1.8 V的电位范围内, 随着F^－浓度增大, 镁合金的阳极极化电流密度呈现出随着电位升高而逐渐增大的趋势, 随着F^－浓度增大这一趋势逐渐减弱. 并且F^－浓度的增大使得镁合金表面空间电荷层电容和钝化膜的载流子密度都不断减小. 通过极化曲线和电化学阻抗共同说明, 在5%的Na₂SO₄溶液中, NaOH溶液中阳极钝化后的镁合金随着钝化体系中F^－浓度的增加其耐蚀性逐渐减弱.