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溶剂蒸汽退火(Solvent Vapor Annealing, SVA)是一种经济高效的小分子半导体晶体生长制备方法. 本工作通过该方法制备出了多种小分子有机半导体单晶, 通过偏光显微镜, XRD, TEM 和 AFM对得到的单晶的形貌和晶体结构进行了表征. 此外, 我们对退火所用溶剂的溶解度、蒸汽退火的环境温度和聚合物介质的引入等影响因素进行了讨论. 研究发现, SVA过程中随着退火溶剂对有机半导体的溶解度增大, 得到的晶体尺寸也随之增大; 此外, 当退火温度升高, 晶体生长速度加快, 但当温度接近溶剂蒸汽的沸点时, 晶体极易产生缺陷; 聚合物的引入可以大大促进SVA进程, 并且生长得到的有机半导体单晶缺陷更少, 尺寸更大. 相似文献
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