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目所指的化合物晶体,属于正交晶系,所属的空间群为Pbca,其晶胞参数为:a=10.575,b=12.215,c=20.786,Z=8。在PW1100四圆衍射仪上收集了1839个独立的衍射数据(I_0>3a(I_0))。晶体结构用直接法解出,经全矩阵和块对角矩阵最小二乘法修正,偏离因子R收敛到0.062。结构测定表明,化合物分子中三个五员环各对应的扭角具有相同的方向,其中两个环的构型基本相同,第三个环略显不同。 相似文献
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题目所指化合物晶体属单斜晶系,空间群P2_1/a,晶胞参数a=10.256,b=14.809,c=7.171,B=103.4°晶胞中分子数Z=4,晶体密度Dc=1.62gcm~(-3)。由直接法和傅里叶(Fourier)综合解得粗结构,经块对角矩阵最小二乘修正,偏离因子R为0.047。N→Si配位键键长为2.062,三个五员环近乎120°角相交,扭角分别为18.64°,19,34°和18.45°。环上的C(12),C(22),C(32)均偏离环的同一侧,三个环呈风扇形,两个氯原子与三个氧原子呈交叉构象。 相似文献
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题目所指的化合物(NC_6H_(10)O_4Si-CH_2CH_2CH_2Cl)属正交晶系,所属空间群为P2_12_12_1。晶胞参数:a=12.943,b=11.477,c=8.273。Z=4。取1243个可观测独立反射数据,用直接法和Fourier综合解得粗结构,经最小二乘修正,偏离因子R为0.049。三个五员环(Si,O,C,C,N)都有一个较大的扭角,分别为23.7°,41.6°,42.8°。其中带羰基环的最大扭角相对较小(23.7°)。三环最小二乘平面间夹角接近120°,分子中的氯丙基-CH_2CH_2CH_2C1近乎在一个平面上折叠。 相似文献
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杂氮硅三环类化合物由于其高的生物活性和对分子内存在五配位硅四配位氮间跨环结构的提出而引起人们广泛关注,其 N→Si 配位键的存在与否却至今引起争论。为此,作者曾用 X-射线光电子能谱(XPS)技术分别以直接对比的方式和从硅上带有不同取代基对 N→Si 配位键的影响两个侧面证实这类分子内 N→Si 配位键的存在,同时也做了 EHMO(扩展的 Hückel 分子轨道)计算处理,计算很好地说明作者的 XPS 实验结果。本文报道用 XPS 技术从另一个侧面:杂氮硅三 相似文献
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题目所指的化合物是在β位引入羰基扩环而形成六元环的新化合物,是杂氮三环研究中一个有意义的结构模型。它属正交晶系,空间群为Pha2_1,晶胞参数为a=16.913,b=8.138,c=6.123;晶胞内所含的分子数Z=4;计算密度Dc=1.457g·cm~(-3)。 使用PW-1100四圆衍射仪,MoKα射线收集衍射强度。用直接法和付立叶综合解得结构,取3°≤2θ≤50°的630个可观测独立反射数据,经最小二乘法修正,最终偏离因子R=0.088。在化合物中,N→B键长为1.637。 相似文献
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Twenty silatrane compounds with different substituents(R) on the silicon atom are studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and EHMO(extended Hückel molecular orbitals) theoretical calculation of the nine compounds in which substituents(R), F, Cl, Br, I, CH_3, H, CH=CH_2, CH_2Cl and CHCl_2, are carried out. By the X-ray photoelectron spectra of the component elements in these compounds, the existence of N→Si dative bond in these molecules is not only confirmed, but the affection of the different substituents on the strength of N→Si dative bond is also obtained. A linear correlation exists between atomic netcharge(Q) obtained by EHMO calculation and the binding energy shifts of N_1_g and Si_(2p) due to different substituents. The calculated bond orders can well predict the effect ou the strength of N→Si dative bond due to the change of substituents in the experiment. Meanwhile, the calculations indicate that the strength of N→Si dative bond in molecules of all substituents is about h 相似文献