电化学合成吡咯与己内酰胺导电共聚物

采用恒电位方法实现了吡咯与己内酰胺在导电玻璃电极上的直接电化学共聚,聚合反应在含有0.1mol/L吡咯和1.5 mol/L己内酰胺的硝基甲烷电解质溶液中进行,外加电位控制在1.2 V以上.聚合产物中聚吡咯与聚己内酰胺链段的组成可通过调节合成电位加以控制.共聚物的形貌、结构与性质采用扫描电子显微镜、热重分析、红外光谱等手...     

Cr掺杂对La0.75Ca0.25MnO3陶瓷材料磁性能的影响

采用传统的固相烧结工艺,制备了La0.75Ca0.25Mn1-xCrxO3(x=0,0.02,0.05,0.1)陶瓷样品,用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了样品的铁磁性能.X射线谱显示样品为四方系晶体.ESR表明掺杂对样品朗德因子g几乎没有影响,而且样品总磁偶极矩的绝大部分是由自旋磁偶极矩贡献的.磁化曲线显示样品存在明显的自旋倾斜态,而掺杂可以削弱甚至破坏样品的自旋倾斜;样品热磁曲线表明,B位高掺杂导致样品晶格畸变从而使得样品磁化强度减小.     

一种新的应用于弹性分组环的公平算法

为了达到高的带宽利用率,理想的空间重用和带宽分配的公平性.本文提出一种新的应用于弹性分组环网络的带宽分配算法,该算法采用了有限集合中收敛速度最快的二分法,通过对公平速率的逐次逼近来实现带宽的动态分配,适用于分布式网络环境.分析和仿真表明采用基于二分法的带宽分配算法能够给每个节点分配到接近理想的公平带宽,整个环路在实现公平性的同时能够得到最大的空间重用并且收剑迅速.     

《电工电子技术》课程项目化教学的探索与实践

《电工电子技术》课程是我院机电类专业基础课,也是院级精品课程的立项课程.该课程使学生建立电工电子技术基本概念、获得电工电子技术必要的基本理论和基本技能,为学习后续课程及从事本专业的工程技术工作奠定一定的基础,     

土豆组织匀浆传感器

组织传感器是利用天然组织中酶的催化作用,制备成的生物传感器.最早提出组织传感器的是Rachnitz,1978年,他利用牛肝组织切片和尿酶与NH3气敏电极结合研制成功第一支动物组织传感器.近年来Erhan Dinckaya等利用组织匀浆来代替组织切片,从而克服了传统的组织传感器的一些缺陷:①传统植物组织切片只能在4℃保存,组织匀浆在-20℃下保存,从而避免了活性物质的流失,提高了传感器的稳定性.②切片较厚,匀浆可以做出较薄的生物膜,提高传感器的响应时间.     

B位等价掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料的性能研究

采用了传统的固相烧结工艺,制备了不同Zr和Hf掺杂量的SrBi₄Ti_4-xZr_xO₁₅（x=000,003, 006,010,020）和SrBi₄Ti_4－xHf_xO₁₅（x=000,0005, 0015,0030,0060）的陶瓷 关键词： 4Ti_4-xZr_xO₁₅')" href="#">SrBi₄Ti_4-xZr_xO₁₅ 4Ti_4－xHf_xO₁₅')" href="#">SrBi₄Ti_4－xHf_xO₁₅ 铁电性能 介电性能     

Anti-Reflection Characteristics of Si Nanowires for Enhanced Photoluminescence from CdTe/CdS Quantum Dots

CdTe/CdS quantum dots(QDs) are fabricated on Si nanowires(NWs) substrates with and without Au nanoparticles(NPs). The formation of Au NPs on Si NWs can be certified as shown in scanning electron microscopy images. The optical properties of samples are also investigated. It is interesting to find that the photoluminescence(PL) intensity of Cd Te/Cd S QD films on Si nanowire substrates with Au NPs is significantly increased,which can reach 8-fold higher than that of samples on planar Si without Au NPs. The results of finite-difference time-domain simulation indicate that Au NPs induce stronger localization of electric field and then boost the PL intensity of QDs nearby. Furthermore, the time-resolved luminescence decay curve shows the PL lifetime, which is about 5.5 ns at the emission peaks of QD films on planar, increasing from 1.8 ns of QD films on Si NWs to4.7 ns after introducing Au NPs into Si NWs.