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1.
2.
分析光场与高聚物相互作用的微观机制,介绍高分子与小分子在光场作用下的极化过程。对在窄束光场作用下,高分子链极化后链上各处极化程度的分布情况进行研究,指出对于高度拉伸的聚合物薄膜,电偶极子模型不适合准确解释高分子与光场相互作用的微观机制。为此,采用符合实际的天线模型分析高分子天线与窄束光场的相互作用,从理论上推导出天线模型高分子链上一小段的极化公式,并用离散变分方法——DVM(discrete variational method)计算一个高分子链的极化分布,验证了文中推导出的分式的合理性。最后,将极化分布看作是电流在天线上的分布,计算了天线的次级辐射在空间中的角分布,得到天线模型对电偶极子模型的修正因子。 相似文献
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4.
锥形光纤间耦合特性的分析与检测 总被引:2,自引:0,他引:2
将通信光纤的末端拉制成锥形,利用光信号在光纤锥形区特有的传输和耦合特性,实现了光纤的耦合、连接和分束。用耦合模理论分析了锥形光纤间的传输和耦合性质,给出了光信号两锥形光纤间的耦合与两锥形光纤的距离和锥形区重叠长度等实验结果。 相似文献
5.
利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化.
关键词:
单壁碳纳米管
场发射显微镜
场发射
四极质谱 相似文献
6.
数码相机CMOS图像传感器的特性参数与选择 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了数码相机的核心器件———CMOS图像传感器的特性参数和在数码相机设计过程中CMOS图像传感器的选择。选择CMOS图像传感器,不仅需要考虑包括传感器的尺寸、像素总数和有效像素数、最小照度、动态范围、灵敏度、分辨力、光电响应不均匀性以及光谱响应等在内的特性参数,而且还要考虑电源管理和功耗、模数转换位数、开发的简便性以及成本等因素。 相似文献
7.
8.
9.
数码相机原理与系统设计研究 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了数码相机的工作原理 ,分析了数码相机的系统结构 ,提出了设计数码相机的处理流程。典型的数码相机系统有镜头、闪光灯、光学取景器、LCD显示屏、图像数据存储扩展设备接口、图像数据传输接口、供电系统以及核心处理器等八个主要模块。数码相机的数据流向从图像传感器开始 ,止于图像数据的存储和传输。数据流的处理主要包括模数转换、光学黑电平钳位、针对镜头的边缘畸变的运算修正、坏像素处理、白平衡处理、伽马校正、色彩合成处理、边缘检测 (锐度检测 )和伪彩色检测 (伪彩色抑制 )、JPEG压缩和图像存储器等模块 相似文献
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