多晶SnO2电导值的室温振荡现象

SnO_2为n型半导体,在还原气氛中电导增加,氧化气氛中电导降低。利用这一性质,已经制成各种类型气体敏感元件。它们均工作在加热状态,以保证元件具有较高的灵敏度和快的响应恢复。我们在研究SnO_2半导体材料室温气敏性质时发现,经过适当掺杂和改性的SnO_2多晶粉末材料,其电导值即便在纯净空气中也呈现出奇异的超低频振荡性质。将这种类型的SnO_2多晶材料置于氧化或还原气氛中,其振荡波形发生明显变化。利用这种振荡现象不仅可     

氧化锡多晶电导的氧空位控制模型

SnO_2、ZnO等金属氧化物的气敏特性通常以它们在不同气氛中电导值的变化来体现。为弄清这类多晶材料及气敏元件电导变化的基本规律,本文根据表面势垒控制模型和晶界势垒控制模型讨论了氧空位密度对SnO_2多晶材料及气敏元件电导值的重要影响,并根据SnO_2多晶电导的氧空位控制模型,讨论了在不同烧结条件下元件电导的变化规律,并用X光电子能谱(XPS)对结果进行了分析。     

羰基保护基团的新进展

对2000～2006年间文献中报道的一些对羰基化合物进行缩酮(醛)类的保护、去保护的主要方法进行了简要的概述.