AlxGa1—xAs／GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的Ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

自润滑轴承失效原因的XPS分析

用Ｘ射线光电子能谱仪（ＸＰＳ）对失效前后的自润滑轴承各部件表面的化学组成及其状态进行了分析，结果表明失效前后表面性质差异较大，失效是由于自润滑膜破损耗尽所致。     

砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱(XPS)，测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值，指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成，计算了表面氧化层的厚度，定量分析了表面的化学组成；比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明：砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成，表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比，而且，氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加；溶液处理后，砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。     

匀胶铬版表面界面微观构成的X射线光电子能谱表征

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版材料微观构成及宏观特性的影响。     

XPS法测量铝箔表面氧化铝的厚度

介绍了一种无需溅射、无需变角，只需一次简单的ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）窄扫描，即可根据谱图中氧化态和金属态的相对强度算出铝金属表面氧化铝的厚度。用该法测量了一系列不同方法处理的铝表面氧比铝厚度，并与椭偏法及ＮＲＡ法（核反应分析法）测定结果进行了对比，结果表明，该法是一种简便准确的膜厚测量法。     

GaAs（100）表面氧化的XPS 研究

用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 ,使其更容易被氧化