首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2075篇
  免费   576篇
  国内免费   167篇
化学   636篇
晶体学   107篇
力学   75篇
综合类   33篇
数学   371篇
物理学   1596篇
  2023年   15篇
  2022年   34篇
  2021年   55篇
  2020年   56篇
  2019年   49篇
  2018年   56篇
  2017年   59篇
  2016年   92篇
  2015年   57篇
  2014年   121篇
  2013年   230篇
  2012年   146篇
  2011年   198篇
  2010年   124篇
  2009年   148篇
  2008年   155篇
  2007年   154篇
  2006年   128篇
  2005年   131篇
  2004年   108篇
  2003年   128篇
  2002年   103篇
  2001年   75篇
  2000年   61篇
  1999年   51篇
  1998年   43篇
  1997年   42篇
  1996年   29篇
  1995年   29篇
  1994年   37篇
  1993年   17篇
  1992年   18篇
  1991年   12篇
  1990年   9篇
  1989年   7篇
  1988年   3篇
  1987年   4篇
  1986年   9篇
  1985年   12篇
  1984年   4篇
  1983年   1篇
  1982年   5篇
  1981年   2篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有2818条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
学校的合理规划布局是实现教育资源优化配置、提高办学效益和推动教育均衡发展的重要途径。已有许多学者研究了学校的布局问题,但基本上都忽略了交通网络条件以及不确定因素对学校布局的影响。本研究将在前人研究基础上,重点考虑交通网络对乡村中小学选址的影响,并假设旅行时间具有不确定性,从而以最小化学生旅行成本、学校建设、道路修建和道路升级成本为目标,构建不确定条件下的设施区位设计模型。在算法求解方面提出混合模拟退火算法,用于确定新建学校的最佳位置,以及新道路的修建和原有道路的升级情况。最后,将提出的模型和算法应用到实际案例中。  相似文献   
2.
To systematically evaluate the quality of SiNx films in multi-stacked structures, we investigated the effects of post-deposition annealing (PDA) on the film properties of SiNx within the SiO2/SiNx/SiO2/Si stacked structure by performing X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray reflectivity (XRR), Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, and scanning transmission electron microscope–electron energy loss spectroscopy (STEM-EELS) analyses. The XPS results showed that PDA induces the oxidation of the SiNx layer. In particular, new finding is that Si-rich SiNx in the SiNx layer is preferentially oxidized by PDA even in multi-stacked structure. The XRR results showed that the SiNx layer becomes thinner, whereas the interface layer between the SiNx layer and Si becomes thicker. It is concluded by STEM-EELS and XPS that this interface layer is SiON layer. The density of N–H and Si–H bonding within the stacked structure strongly depends on the PDA temperature. Our study helps elucidate the properties of SiNx films in stacked structures from various perspectives.  相似文献   
3.
In this work, solution-processed indium oxide (In2O3) thin film transistors (TFTs) were fabricated by a two-step annealing method. The influence of post-metal annealing (PMA) temperatures on the electrical performance and stability is studied. With the increase of PMA temperatures, the on-state current and off-state current (Ion/Ioff) ratio is improved and the sub-threshold swing (SS) decreased. Moreover, the stability of In2O3 TFTs is also improved. In all, In2O3 TFT with post-metal annealing temperature of 350°С exhibits the best performance (a threshold voltage of 4.75 V, a mobility of 13.8 cm2/V, an Ion/Ioff ratio of 1.8 × 106, and a SS of 0.76 V/decade). Meanwhile, the stability under temperature stress (TBS) and positive bias stress (PBS) also show a good improvement. It shows that the PMA treatment can effectively suppress the interface trap and bulk trap and result in an obviously improvement of the In2O3 TFTs performance.  相似文献   
4.
5.
《中国物理 B》2021,30(7):77303-077303
The effects of dry O_2 post oxidation annealing(POA) at different temperatures on SiC/SiO_2 stacks are comparatively studied in this paper. The results show interface trap density(Dit) of SiC/SiO_2 stacks, leakage current density(Jg), and time-dependent dielectric breakdown(TDDB) characteristics of the oxide, are affected by POA temperature and are closely correlated. Specifically, Dit, Jg, and inverse median lifetime of TDDB have the same trend against POA temperature, which is instructive for SiC/SiO_2 interface quality improvement. Moreover, area dependence of TDDB characteristics for gate oxide on SiC shows different electrode areas lead to same slope of TDDB Weibull curves.  相似文献   
6.
Yi-Peng Li 《中国物理 B》2021,30(8):86109-086109
The evolution of helium bubbles in purity Mo was investigated by in-situ transmission electron microscopy (TEM) during 30 keV He+ irradiation (at 673 K and 1173 K) and post-irradiation annealing (after 30 keV He+ irradiation with the fluence of 5.74×1016 He+/cm2 at 673 K). Both He+ irradiation and subsequently annealing induced the initiation, aggregation, and growth of helium bubbles. Temperature had a significant effect on the initiation and evolution of helium bubbles. The higher the irradiation temperature was, the larger the bubble size at the same irradiation fluence would be. At 1173 K irradiation, helium bubbles nucleated and grew preferentially at grain boundaries and showed super large size, which would induce the formation of microcracks. At the same time, the geometry of helium bubbles changed from sphericity to polyhedron. The polyhedral bubbles preferred to grow in the shape bounded by {100} planes. After statistical analysis of the characteristic parameters of helium bubbles, the functions between the average size, number density of helium bubbles, swelling rate and irradiation damage were obtained. Meanwhile, an empirical formula for calculating the size of helium bubbles during the annealing was also provided.  相似文献   
7.
真空电弧的特性直接受到从阴极斑点喷射出的等离子体射流的影响,对等离子体射流进行数值仿真有助于我们深入了解真空电弧的内部物理机制.然而,磁流体动力学和粒子云网格仿真方法受限于计算精度和计算效率的原因,无法有效地应用于真空电弧等离子体射流仿真模拟.本文开发了一套三维等离子体混合模拟算法,并在此基础上建立了真空电弧单阴极斑点射流仿真模型,模型中将离子作宏粒子考虑,而电子作无质量流体处理,仿真计算了自生电磁场与外施纵向磁场作用下等离子体的分布运动状态.仿真结果表明,单个阴极斑点情况下真空等离子体射流在离开阴极斑点后扩散至极板间,其整体几何形状为圆锥形,离子密度从阴极到阳极快速下降.外施纵向磁场会压缩等离子体,使得等离子体射流径向的扩散减少并且轴线上的离子密度升高.随着外施纵向磁场的增大,其对等离子体射流的压缩效应增强,表现为等离子体射流的扩散角度逐渐减小.此外,外施纵向磁场对等离子体射流的影响也受到电弧电流大小的影响,压缩效应随电弧电流的增加而逐渐减弱.  相似文献   
8.
We propose a lumped element Josephson parametric amplifier with vacuum-gap-based capacitor.The capacitor is made of quasi-floating aluminum pad and on-chip ground.We take a fabrication process compatible with air-bridge technology,which makes our design adaptable for future on-chip integrated quantum computing system.Further engineering the input impedance,we obtain a gain above 20 dB over 162-MHz bandwidth,along with a quasi quantum-limit noise performance.This work should facilitate the development of quantum information processing and integrated superconducting circuit design.  相似文献   
9.
为减小物资生产与配送不协调造成的成本及生产资源浪费,建立了考虑推动式生产调度的物资配送优化模型,并针对标准模拟退火算法受随机因素影响易陷入局部最优的缺点,设计带有回火与缓冷操作的改进模拟退火算法对模型求解,确定了优化的车辆配送路线以及物资生产计划。对比实验结果表明:相对于单纯的物资配送优化模型,考虑推动式生产调度的配送优化模型,能够有效减小物资滞留时间以及配送延误成本;相较于标准模拟退火算法,改进算法搜索到了更优解,且计算结果的标准差减小了93.42%,稳定性更好;同时,改进模拟退火算法具有较低的偏差率,在中小规模算例中求解质量较高,平均偏差率在0.5%以内。  相似文献   
10.
郭敬  张玉杰 《应用光学》2022,43(5):879-885
目前的节能照明控制算法仍有陷入局部最优的问题。为了寻求全局最优解,提高室内照明的节能效果,设计一种遗传模拟退火算法对照明系统的控制参数进行优化求解。该算法通过在遗传操作后对优秀个体进行模拟退火处理,增强了算法的局部搜索能力。根据迭代的次数和种群的适应度对遗传概率进行自适应调节,使得算法在前期丰富种群多样性,避免算法“早熟”。提出基于人工神经网络的照度模型来计算室内照度分布,对照明舒适度进行评估,为构造优化算法的适应函数提供了依据。通过仿真实验,在本文介绍的照明场景应用遗传模拟退火算法,并与传统粒子群算法和遗传算法进行比较,其照明节能性能分别高出5.30%和13.61%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号