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1.
不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光   总被引:26,自引:0,他引:26       下载免费PDF全文
张德恒  王卿璞  薛忠营 《物理学报》2003,52(6):1484-1487
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜. 在270 nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射(波长为356 nm)和较弱的蓝光发射(波长为446 nm). 经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高, 在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜,其积分发光强度分别增加了7倍和14倍.而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著.紫外光发射源于电子的带间跃迁,而蓝光发射是由电子从氧空位浅施主能级到价带顶的跃迁引起的.  相似文献
2.
利用表面等离子体共振效应,研究了金属镀层厚度对光纤表面等离子体波传感器的影响。在其它参量一定的情况下,不同金属膜层厚度的传感器对应着不同的共振波长,根据这一特性设计了分布式光纤表达等离子体波传感器。突出优点是能进行多点测量。  相似文献
3.
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性   总被引:17,自引:5,他引:12  
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释。  相似文献
4.
退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响   总被引:15,自引:0,他引:15       下载免费PDF全文
采用反应射频磁控溅射法在 Si(100)基片上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示,在600—1000℃退火温度范围内,退火对薄膜的织构取向的影响较小,但薄膜的应力状态和成分有比较明显的变化.室温下光致发光光谱分析发现,薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷状态之间存在着明显的对应关系;而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变  相似文献
5.
多功能椭偏测厚仪   总被引:15,自引:0,他引:15  
研究成功一台变入射角反射式消光法多功能智能椭偏测厚仪。实验表明 :仪器的测厚准确度为± 0 1nm ;椭偏参数Ψ和Δ的测量重复性精度分别为± 0 1°和± 0 3° ,适用于纳米级薄膜厚度和折射率的测量  相似文献
6.
磁控反应溅射SiNx薄膜的研究   总被引:13,自引:9,他引:4       下载免费PDF全文
朱勇  沈伟东  叶辉  顾培夫 《光子学报》2005,34(1):154-157
用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜. 分析了以硅为靶材, 用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响, 得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的, 而总气压较大的时候, 水汽影响增大, 气流比率的影响反而不明显. 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx薄膜.  相似文献
7.
磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究   总被引:13,自引:4,他引:9       下载免费PDF全文
用X射线电子能谱仪(XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2薄膜进行测试,得到VO2薄膜内部组成成份的信息.研究了获得高含量VO2薄膜的最佳制备参量.同时还观察到V2O3、VO2、V2O5以接近含量共存的现象,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2O3、VO2、V2O5中的两种组成的结论有所不同.  相似文献
8.
氧化钒薄膜微观结构的研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的V2O5薄膜.x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米V2O5薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.V2O5薄膜经过真空退火得到(001)取向的VO2薄膜,晶体颗  相似文献
9.
射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性   总被引:11,自引:5,他引:6  
采用射频(RF)反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的(002)衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。  相似文献
10.
The fabrication and characterization of ZnO UV detector   总被引:9,自引:0,他引:9  
ZnO films were deposited on GaAs substrates by radio frequency (rf) magnetron sputtering followed by an ambient-controlled heat treatment process for arsenic doping. In Hall measurements, the As-doped ZnO films showed the characteristics of p-type semiconductor. The ZnO thin film p–n homojuctions were then fabricated to investigate the electrical properties of the films. The p–n homojunctions exhibited the distinct rectifying current–voltage (IV) characteristics. The turn-on voltage was measured to be 3.0 V under the forward bias. When ultraviolet (UV) light (λ = 325 nm) was irradiated on the p–n homojunction, photocurrent of 2 mA was detected. Based on these results, it is proposed that the p–n homojunction herein is a potential candidate for UV photodetector and optical devices.  相似文献
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