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1.
测定了苯撑乙烯齐聚物、吡唑啉衍生物、钌配合物、铼配合物以及常用的有机染料与载流子传输材料等一百余种有机(包括有机小分子,配合物和聚合物)材料的能带来结构参数,探讨不同取代基对材料“能带”结构的影响。基于能带匹配的原则,同时考虑载流子迁移率匹配及各有机层间的厚度匹配,设计了不同结构的电致发光器件。研究表明,能带匹配、迁移率匹配以及厚度匹配是提高有机电致发光器件性能的重要依据。  相似文献
2.
InGaN量子阱的微观特性   总被引:5,自引:4,他引:1  
林伟  李书平  康俊勇 《发光学报》2007,28(1):99-103
采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。  相似文献
3.
利用透射系数研究周期势的能带结构   总被引:4,自引:2,他引:2  
利用一维方位势透射系数的递推公式研究了周期势的能带结构,文中考察了能 结构与垒宽、阱宽及位势个数的关系。  相似文献
4.
硅酸锌的电子结构   总被引:4,自引:3,他引:1  
张华  冯夏  康俊勇 《发光学报》2006,27(5):750-754
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。  相似文献
5.
四种材料构成的超晶格能带结构的研究   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
田园  彭宇恒 《光子学报》1997,26(7):599-603
本文对由AIAs,AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方.  相似文献
6.
高压下ZnS的电子结构和性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构. 通过分析发现,随着外界压强的增大,晶格常数和键长在不断缩小,从S原子向Zn原子转移的电荷越来越少,Zn—S键的共价性逐渐增强,Zn原子和S原子的态密度都有不同程度的变化,而且还有向低能量移动的趋势. 当外界压强达到24GPA时,ZnS从直接带隙半导体变成间接带隙半导体,而且随着压强的增大,间接带隙逐渐变小,直接带隙逐渐增大.  相似文献
7.
氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征及其能带结构分析   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
对氢化纳米硅薄膜中氢的键合特征和薄膜能带结构之间的关系进行了研究.所用样品采用螺 旋波等离子体化学气相沉积技术制备,利用Raman散射、红外吸收和光学吸收技术对薄膜的 微观结构、氢的键合特征以及能带结构特性进行了分析.Raman结果显示不同衬底温度下所生 长薄膜的微观结构存在显著差异,从非晶硅到纳米晶硅转化的衬底温度阈值为200℃.薄膜中 氢的键合特征与薄膜的能带结构密切相关.氢化非晶硅薄膜具有较高的氢含量,因键合氢引 起的价带化学位移和低衬底温度决定的结构无序性,使薄膜呈现较大的光学带隙和带尾宽度 .升  相似文献
8.
拓扑缺陷对单壁碳纳米管电子结构及其光学光谱的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
应用密度泛函理论计算了半导体型单壁碳纳米管(7,0)和(8,0)以及其发生镜像对称和非镜像对称Stone-Wales形变、形成异质结(7,0)-(8,0)情况下的能带结构、吸收光谱、反射光谱,并对计算结果进行了比较.研究发现:引入拓扑缺陷态后,碳纳米管的能带结构发生了明显的变化,费米能级在不同缺陷情况下移动方向不一致;碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象;在光子能量约为E=13 eV处各碳管的吸收谱和反射谱中均出现一特征峰,并且在引入缺陷以后该特征峰向高能区移动.文章对计算结果进行了分析和探讨,可望利用这种拓扑缺陷的引入而产生的光电特性来设计碳管光电器件.  相似文献
9.
一种锌希夫碱配合物的表征及发光性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
合成并通过真空升华提纯得到了一种高纯度的希夫碱有机金属配合物水杨醛缩邻苯二胺合锌。通过元素分析、红外光谱、热重-差热曲线、紫外-可见光吸收光谱、荧光发射光谱和光致发光光谱表征了其结构、热稳定性以及能带结构。实验结果表明:水杨醛缩邻苯二胺合锌的玻璃化温度(Tg)高达183℃,分解温度为449℃;水杨醛缩邻苯二胺合锌是一种多晶粉末状的发光材料,在紫外光的激发下,在四氢呋喃溶液体系中的荧光发射峰在508nm处,为蓝绿色荧光,色纯度高,荧光量子效率高,禁带宽度2.62eV;利用真空热蒸镀很容易制备高质量薄膜,其发射峰在562nm处,半高宽为48.5nm的黄绿光发射。利用水杨醛缩邻苯二胺合锌为发光层制备了黄光有机电致发光器件。  相似文献
10.
高压下ZnSe的电子结构和光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了它的平衡晶格常数、总能量、电子态密度分布、能带结构、光反射与吸收系数等性质,详细讨论了高压下ZnSe的电子结构,并且结合实验结果定性地分析了高压下的光学性质.  相似文献
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