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1.
本文研究了以超临界CO2布雷登循环为原动机的热电联供系统,对系统主要运行参数进行了分析,得到运行参数对于系统热力学性能和经济性能的影响规律。同时,以一次能源利用率和单位输出成本作为目标函数,采用多目标遗传算法对系统进行了优化;在优化结果的基础上,通过TOPSIS法决策出最优解,并与单目标最优解进行对比。结果表明,透平进口温度、透平进口压力和压缩机进口温度的增大有利于系统效率的提高;作为代价,成本也相应增加。在热电比0~4范围内,尽可能增大热电比能够最大程度上降低系统的单位输出成本,提高能源的利用率。  相似文献   
2.
本文采用第一性原理方法,在100 GPa的压力范围内,计算了GeO_2理想晶体和含锗、氧空位点缺陷晶体的光学性质.吸收谱数据表明,压力诱导的三个结构相变对GeO_2晶体的吸收谱均有影响:第一个相变将导致其吸收边蓝移,而第二和第三相变将使得其吸收边红移.锗和氧空位点缺陷的存在将导致GeO_2的吸收边红移,但氧空位点缺陷引起的红移更明显.尽管如此,分析发现,在100 GPa的压力范围内,压力、相变以及空位点缺陷等因素都不会导致GeO_2晶体在可见光区出现光吸收现象(是透明的).波长在532 nm处的折射率数据显示,在GeO_2的四个相区,其折射率均随压力增加而降低;而且,GeO_2的三个结构相变以及锗、氧空位点缺陷都会导致其折射率有所增大.本文预测,GeO_2有成为冲击光学窗口材料的可能.  相似文献   
3.
三氧化二铋(Bi2O3)是氧离子导电体,为了获得它的原子热振动各向同性温度因子,对该粉末晶体进行X射线衍射实验,建立了晶体结构模型,利用Rietveld 精修方法的RIETAN-2000 程序对所得实验结果进行了晶体结构精修,通过最大熵方法(MEM)解析得到了粉末晶体的等高电子密度分布三维(3D) 和二维(2D)可视化图谱。结果表明,各原子Bi(1)、Bi(2)、O(1)、O(2)和O(3)的原子热振动各向同性温度因子分别为0.004 938 nm2、0.004 174 nm2、0.007 344 nm2、0.007 462 nm2、和0.007 857 nm2,等高电子密度分布的可视化,进一步验证了晶体结构模型和原子位置的准确性,这些参数对研究晶体材料的热性质具有一定参考意义。  相似文献   
4.
HL-2M 装置供电系统研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
为满足 HL-2M 装置的供电需求,须配套建设相应的供电系统。通过仿真计算 HL-2M 装置的总体供 电需求,考虑到 HL-2A 装置现有的供电系统设备,提出了兼顾 HL-2A 和 HL-2M 装置供电需求的总体配置方案。介绍了国内首台 300MVA 立式交流脉冲发电机组、磁体电源、高压电源和电源控制系统的研制情况。  相似文献   
5.
Yu-Jia Sun 《中国物理 B》2021,30(11):117104-117104
Ultrathin van der Waals (vdW) magnets provide a possibility to access magnetic ordering in the two-dimensional (2D) limit, which are expected to be applied in the spintronic devices. Raman spectroscopy is a powerful characterization method to investigate the spin-related properties in 2D vdW magnets, including magnon and spin-lattice interaction, which are hardly accessible by other optical methods. In this paper, the recent progress of various magnetic properties in 2D vdW magnets studied by Raman spectroscopy is reviewed, including the magnetic transition, spin-wave, spin-lattice interaction, symmetry tuning induced by spin ordering, and nonreciprocal magneto-phonon Raman scattering.  相似文献   
6.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。  相似文献   
7.
发展了一套固态亚毫米波外差干涉系统和一种基于全相位快速傅里叶变换(apFFT)的相位处理方法用 于测量 HL-2M 初始等离子体电子密度。该系统采用平面型二极管倍频技术对低频的锁相微波源进行高次倍频以 产生功率大于 0.1MW、频率 306.9GHz 的探测波。基于 apFFT 的相位处理数值算法可以从原始信号中提取相位信 息,缓解由可能的高水平密度扰动导致的相位跳变。系统的固有时间分辨率为 5μs,电子密度测量范围在 1016~1020m−3。在 HL-2M 装置首次实验期间,该系统被安装在中平面上,利用装置内壁反射实现干涉测量,成功 测量了线平均电子密度。   相似文献   
8.
本文利用原位低场核磁共振(LF-NMR)技术在真实固液反应环境中对光催化还原Cr(Ⅵ)反应进行了定量研究,并对Ag纳米颗粒负载量不同的Ag担载石墨相氮化碳复合光催化剂(Ag/g-C3N4)在可见光照射下催化Cr(Ⅵ)还原为Cr(Ⅲ)的性能进行了研究.研究发现,Ag纳米颗粒负载(负载量分别为1 wt.%、2 wt.%、5 wt.%和10 wt.%)可以有效提高g-C3N4的光催化性能;且负载量为5 wt.%时光催化性能最优,为无Ag负载的g-C3N4的4倍.此外,本文还通过横向弛豫时间(T2)定量分析了反应体系中顺磁性Cr(Ⅲ)离子的浓度,证实了采用LF-NMR弛豫法评价光催化Cr(Ⅵ)还原反应性能的可行性.  相似文献   
9.
Herein, a new 2-dimensional coordination polymer based on copper (II), {Cu2(L)(DMF)2}n, where L stands for 1,2,4,5-benzenetetracarboxylate (complex 1) is synthesized. Interestingly, we demonstrate that both solvent and sonication are relevant in the top-down fabrication of nanostructures. Water molecules are intercalated in suspended crystals of complex 1 modifying not only the coordination sphere of Cu(II) ions but also the final chemical formula and crystalline structure obtaining {[Cu(L)(H2O)3]·H2O}n (complex 2). On the other hand, ultrasound is required to induce the nanostructuration. Remarkably, different morphologies are obtained using different solvents and interconversion from one morphology to another seems to occur upon solvent exchange. Both complexes 1 and 2, as well as the corresponding nanostructures, have been fully characterized by different means such as infrared spectroscopy, x-ray diffraction and microscopy.  相似文献   
10.
Xia Wang 《中国物理 B》2021,30(11):114211-114211
The determination of band offsets is crucial in the optimization of Ga2O3-based devices, since the band alignment types could determine the operations of devices due to the restriction of carrier transport across the heterogeneous interfaces. In this work, the band offsets of the Ga2O3/FTO heterojunction are studied using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) based on Kraut's method, which suggests a staggered type-Ⅱ alignment with a conduction band offset (ΔEC) of 1.66 eV and a valence band offset (ΔEV) of -2.41 eV. Furthermore, the electronic properties of the Ga2O3/FTO heterostructure are also measured, both in the dark and under ultraviolet (UV) illuminated conditions (254 nm UV light). Overall, this work can provide meaningful guidance for the design and construction of oxide hetero-structured devices based on wide-bandgap semiconducting Ga2O3.  相似文献   
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