首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   372篇
  国内免费   9篇
  完全免费   398篇
  物理学   779篇
  2018年   4篇
  2017年   14篇
  2016年   9篇
  2015年   21篇
  2014年   61篇
  2013年   54篇
  2012年   67篇
  2011年   74篇
  2010年   70篇
  2009年   83篇
  2008年   86篇
  2007年   50篇
  2006年   74篇
  2005年   34篇
  2004年   22篇
  2003年   27篇
  2002年   18篇
  2001年   6篇
  1999年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1993年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有779条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究   总被引:31,自引:12,他引:19  
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜,在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱。探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响,从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位,以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。  相似文献
2.
非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心   总被引:29,自引:2,他引:27       下载免费PDF全文
林碧霞  傅竹西  贾云波  廖桂红 《物理学报》2001,50(11):2208-2211
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(OZn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空  相似文献
3.
不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光   总被引:26,自引:0,他引:26       下载免费PDF全文
张德恒  王卿璞  薛忠营 《物理学报》2003,52(6):1484-1487
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜. 在270 nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射(波长为356 nm)和较弱的蓝光发射(波长为446 nm). 经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高, 在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜,其积分发光强度分别增加了7倍和14倍.而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著.紫外光发射源于电子的带间跃迁,而蓝光发射是由电子从氧空位浅施主能级到价带顶的跃迁引起的.  相似文献
4.
射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移   总被引:21,自引:0,他引:21       下载免费PDF全文
利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜.通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性.这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光,其峰位会随氧流量的减少而发生红移.从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因.  相似文献
5.
Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究   总被引:20,自引:0,他引:20       下载免费PDF全文
采用第一性原理的超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明,Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现,Zn 4s态决定导带底的位置,Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.  相似文献
6.
纳米晶ZnO可见发射机制的研究   总被引:18,自引:7,他引:11       下载免费PDF全文
宋国利  梁红  孙凯霞 《光子学报》2004,33(4):485-488
利用化学沉淀法制备了纳米ZnO粉体,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、X射线衍射谱(XRD),给出了样品的透射电子显微照片(TEM).X射线衍射(XRD)的结果表明:纳米晶ZnO具有六角纤锌矿晶体结构,颗粒呈球形或椭球形.观察到二个荧光发射带,中心波长分别位于398 nm的紫带和510 nm的绿光带.发现随退火温度升高,粒径增大,紫带的峰值减弱、绿带的峰值增强.证实了纳米晶ZnO绿光可见发射带来自氧空位形成的施主和锌空位形成的受主之间的复合.  相似文献
7.
紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究   总被引:18,自引:9,他引:9       下载免费PDF全文
杨晓东  张景文  邹玮  侯洵 《光子学报》2002,31(10):1216-1219
采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1:2的条件下生长出了XRD半高宽为01°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.  相似文献
8.
退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响   总被引:18,自引:0,他引:18       下载免费PDF全文
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响.由x射线衍射得知,随退火温度的升高,晶粒逐渐变大,薄膜中压应力由大变小至出现张应力.光致发光测量发现,样品在430nm附近有一光致发光峰, 峰的强度随退火温度升高而减弱,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图,推测出ZnO薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁.  相似文献
9.
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性   总被引:17,自引:5,他引:12  
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释。  相似文献
10.
纳米氧化锌粉体的制备及发光性质的研究   总被引:17,自引:3,他引:14  
采用沉淀法制备纳米ZnO粉体,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究,对不同温度热处理的样品的发光性质做了比较。ZnO的可见发光机制的解释一直未有定论。一部分作者认为绿光是由氧空位引起的;另一部分认为是锌空位造成的。本文的实验结果揭示了可见发光的内部过程,肯定了双声子参与的发光过程,支持了绿色是由锌空位造成的这一观点。此外,用230nm以下波长激发样品时,可见发光的行为明显不同于用325nm以上的波长去激发同一样品时的发光情形。实验表明高能激发,样品能发白光,因此,用ZnO做白光二极管是可能实现的。  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号