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1.
溶胶-凝胶法制备Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷及其电学特性   总被引:25,自引:0,他引:25       下载免费PDF全文
用溶胶 凝胶工艺成功制备出Bi0 5Na0 5TiO3纳米微粉 ,并利用此微粉烧结出高致密度的Bi0 5Na0 5TiO3陶瓷 .这种新工艺制备的Bi0 5Na0 5TiO3陶瓷 ,其压电性能远远高于普通方法制备的陶瓷 ,其中压电常数d33和机电耦合系数kt 分别高达 10 2× 10 - 1 2 C N和 5 8% .同时发现 ,对于这种Bi0 5Na0 5TiO3陶瓷 ,室温时只需施加 10 0kV cm左右的交变电场 ,就可得到矩形度极好的饱和回线 ,得到的剩余极化Pr 和矫顽场Ec 分别为 32 μC cm2 和 6 1kV cm .而在 10 0℃以上只需施加 35kV cm的极化电场就可使样品充分极化 .  相似文献
2.
ZrO2/SiO2多层膜的化学法制备研究   总被引:20,自引:11,他引:9  
分别以ZrOCl2*8H2O和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶.用旋转镀膜法分别在K9 玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/SiO2多层膜.采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层开裂和膜间渗透等问题.应用扫描电子显微镜观测了薄膜的表面和剖面微观形貌,并用椭偏仪测得薄膜的厚度和折射率,研究了薄膜厚度、折射率与热处理温度、紫外光处理时间的关系,对所获得薄膜的紫外-可见、红外光谱进行了分析.用输出波长1064nm,脉宽15ns的电光调Q激光系统产生的强激光进行了单层膜的辐照实验,结果发现溶剂替换后激光损伤阈值有所提高.  相似文献
3.
胡林华  戴松元  王孔嘉 《物理学报》2003,52(9):2135-2139
讨论了采用溶胶-凝胶法经由先驱物钛酸四异丙脂水解而制备的纳米TiO2粉末的 结构相变 ,并讨论了该纳米粉末的生长动力学机理.结果表明,水解pH值为0.9,当高压釜热处理温度 <503K时,粉末晶粒度增长较为缓慢,而当热处理温度>503K时,粉末粒度明显长大.应用 相变理论计算出了纳米TiO2颗粒的两阶段的生长激活能,分别是18.5kJ/mol和5 9.7kJ/mol .XRD物相分析表明,高压釜热处理温度达到503K时,样品就开始发生锐钛矿到金红石相的结 构相变,到543K就基本实现了这一结构相变,使得这一相变温度比其他文献中报道的又降低 了许多.  相似文献
4.
溶胶-凝胶法合成Sr2CeO4及其发光性能的研究   总被引:15,自引:5,他引:10  
采用Pechini溶胶-凝胶法合成了Sr2CeO4粉末。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、热重及差热分析(TG-DTA)以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明,用Pechini溶胶-凝胶法合成的样品800℃时已开始结晶,900℃时可得到三斜晶系的Sr2CeO4多晶粉末。扫描电镜照片可以看出颗粒大小不均匀,粒径约为1-5μm。发光光谱测试表明Sr2CeO4粉末的激发光谱是一个宽带双峰结构,分别位于310nm和340nm。这个宽带属于Ce^4 的电荷迁移带。用340nm激发样品,其发射光谱也是一个宽带,最大峰位于475nm,这个峰属于Ce^4 的f→t1g跃迁。用310nm激发得到的发射光谱与用340nm激发得到的发射光谱相同。  相似文献
5.
溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究   总被引:14,自引:0,他引:14       下载免费PDF全文
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键  相似文献
6.
溶胶—凝胶法制备高强度二氧化硅增透膜的研究   总被引:13,自引:3,他引:10  
汤中苗  朱从善 《光学学报》1998,18(2):42-246
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,用溶胶-凝胶(SOL-GEL)法在碱性催化条件下制睾一氧化硅膜,经氨气氛和热处理工艺,提高了二氧化硅透膜的拭和抗氙灯辐照能力,可用于激光器泵浦光学元件的增透。在570-800nm范围内,双面涂的K9下班的平均透过率可提高到98%以上。  相似文献
7.
SiO2干凝胶光致发光性质的研究   总被引:13,自引:2,他引:11  
韩银花  林君 《发光学报》2002,23(3):296-300
以硅酸酯Si(OC2H5)4(TEOS)和H2N(CH2)3Si(OC2H5)3(APS)为主要原料,在不同的条件下(催化剂、热处理、高分子添加剂)通过溶胶-凝胶法制备了一系列不同组成的SiO2干凝胶,并通过发光光谱对所得的干凝胶进行了表征.在长波365nm紫外光激发下,干凝胶样品都显示出较强的蓝光发射,但其发光波长和发光忖强度随着组成和处理条件的不同而有明显的差异.APS与有机酸(醋酸)和无机酸(盐酸、硝酸、硫酸)所得SiO2干凝胶的结果为IHAc(λmax=432nm)>JHNO3(λmax=441nm)≈IH2SO4(λmax=426nm)>IHCI(λmax=442nm),并且在APS与HCl作用所得的干凝胶样品中,明显存在两种发光中心(其发射峰值波长分别位于442nm和487nm,相应的激发波长分别位于365nm和273nm).一定量的TEOS与APS相混合并与HAc作用不仅有利于干凝胶样品的迅速形成,而且有利于提高其发光强度:当R(APS/TEOS+TEOS摩尔比)=0.5~0.7时,样品发光较强;在0.5摩尔APS+0.5摩尔TEOS与3摩尔HAc的反应过程中加入高分子添加剂聚乙二醇(PEG5000、PE10000),所得样品的发光强度先随着PEG的加入量的增加而变强,然后随着PEG的加入量的增加而变弱,PEG5000和PEG10000的最佳掺杂量分别为0.8g和0.6g.在温度20~200℃的范围内,干凝胶样品的发光强度随着热处理温度的升高而增强,同时真空中处理样品的发光强度大于空气中处理样品的发光强度.这表明干凝胶样品的发光和氧缺陷及碳杂质有关.  相似文献
8.
透光导电ITO膜的制备及其光电特性的研究   总被引:13,自引:4,他引:9       下载免费PDF全文
采用溶胶 凝胶方法制备ITO膜 ,并从制备工艺上研究了各种因素对ITO膜光电特性的影响 最后制出的ITO膜厚度约为 5 0nm ,在可见光区平均透射比达 97% ,最高达 99.5 5 % ,电阻率在 2 .0Ω·cm左右 ,最低达到 0 .31Ω·cm  相似文献
9.
溶胶—凝胶工艺提拉法制备二氧化硅增透膜   总被引:13,自引:2,他引:11       下载免费PDF全文
采用溶胶-凝胶工艺用提拉法在石英基片上制备了具有优良的光学特性,高激光损伤阈值和均匀性良好的多孔二氧化硅单层增透膜和“有机硅-SiO2”双层增透膜系,考察了提拉速率对透射特性的影响,并比较了提拉法和液面下降法对所制备膜层的厚度的影响,透射光谱测量表明,在钕下班高功率激光的基频、倍频和三倍频等重要激光长处均得到较为理想的增透,透射率达到99%以上。  相似文献
10.
Sol-gel法制备纳米SnO2气敏材料的研究   总被引:12,自引:2,他引:10  
用Sol-gel法制备SnO2纳米粒子,并用XRD、紫外吸收光谱和激光Raman光谱进行了表征和分析。XRD实验证实了所制备的粒子具有较理想的纳料尺寸,其粒径随热退火温度升高而增大;Raman光谱表明低温退火时SnO2纳米材料的氧缺位较大;紫外吸收光谱表明退火温度在300-500℃粒径变化很大,但光的吸收稳定不变,可望利用这些性质,提高SnO2气敏器件的性能。  相似文献
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