读者来信摘登

安康学院的方小兵老师来信指出：在《物理实验》2006年第2期上，关于“超声波波型转换与表面波的检测”一文中，出现波形与波型混用．波形和波型，虽然都是用来描述波的性质，但两者没有任何因果关系，波形由波源的振动决定，由示波器来显示，波型则是通过测量声速来判定，它的类型由波源和介质共同决定且在介面上能发生波型转换．     

形状记忆聚合物表面弹性薄膜的屈曲研究1)

形状记忆聚合物具有形状变化后在特定条件下可恢复的特点,因此作为一种柔性基底材料在柔性电子中得到广泛应用。对于形状记忆聚合物基底和弹性薄膜组成的双层结构,当 基底收缩时,其表面的弹性薄膜可以形成屈曲波形。针对基底收缩过程中波形的变化, 本文实验测得形状记忆聚合物材料在不同温度下的 属性,结合一维应变恢复函数,利用柔性基底表面薄膜屈曲波形参数(波幅、波长等)表达式,求解得到了在基底收缩的过程中,弹性薄膜屈曲波形的变化规律,和实验结果吻合很好。     

一个新的IEC61000-4-2标准ESD电流解析表达式

分析了两个ESD标准电流波形表达式,并提出一个新的基于脉冲函数来描述ESD标准电流的解析表达式,该表达式符合最新的标准IEC61000-4-2,在零时刻的电流及其微分部为0,且波形与实际测量波形基本吻合。     

硅橡胶动态压缩性能SHPB测试方法及其本构模型研究

为了采用分离式霍普金森压杆测试硅橡胶的动态力学性能,首先实验分析波形整形器厚度对入射波形的影响,根据柔性粘弹性试样的应力应变均匀化条件,确定合适的波形整形器厚度.然后采用实验与数值模拟相结合的方法,分析试样厚度对其变形特征和动态力学性能测试结果的影响.结果表明,厚度超过3mm的试样在冲击测试过程中难以达到力平衡状态,试...     

Raman spectra and XPS studies of phase changes in Ge2Sb2Te5 films

Ge_2Sb_2Te_5 film was deposited by RF magnetron sputtering on Si (100) substrate. The structure of amorphous and crystalline Ge_2Sb_2Te_5 thin films was investigated using XRD, Raman spectra and XPS. XRD measurements revealed the existence of two different crystalline phases, which has a FCC structure and a hexagonal structure, respectively. The broad peak in the Raman spectra of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 film is due to the amorphous －Te－-Te－ stretching. As the annealing temperature increases, the broad peak separates into two peaks, which indicates that the heteropolar bond in GeTe_4 and the Sb－Sb bond are connected with four Te atoms, and other units such as (TeSb) Sb－Sb (Te_2) and (Sb_2) Sb－Sb (Te_2), where some of the four Te atoms in the above formula are replaced by Sb atoms, remain in crystalline Ge_2Sb_2Te_5 thin film. And from the results of Raman spectra and XPS, higher the annealing temperature, more Te atoms bond to Ge atoms and more Sb atoms substitute Te in (Te_2) Sb－Sb (Te_2).     

一种微型FAIMS传感器芯片的研制

基于微机电系统(MEMS)技术,研制了一种微型高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)传感器芯片.芯片尺寸为18.8mm×12.4mm×1.2mm,由离子化区、迁移区、离子检测区组成.采用真空紫外灯离子源在大气压环境下对样品进行离子化,经过离子化区中聚焦电极的电场作用,实现离子在进入迁移区之前的聚焦,提高离子信号的强度.通过在上下玻璃上溅射Au/Cr(300nm/30nm)金属,并与厚度为200μm、采用感应耦合等离子体(ICP)工艺刻蚀的硅片键合,形成迁移区的矩形通道,尺寸为10mm×5mm×0.2mm.离子检测区为三排直径200μm、间距100μm交错排列的圆柱阵列式微法拉第筒,能同时检测正负离子.采用频率为2MHz,最大电压为364V,占空比为30%的高场非对称方波电压进行FAIMS芯片实验.以丙酮和甲苯为实验样品,载气流速80L·h-1,补偿电压从-10V到3V以0.1V的步长进行扫描,得到了丙酮和甲苯的FAIMS谱图,验证了FAIMS芯片的性能.丙酮和甲苯的FAIMS-MS实验进一步表明FAIMS系统实现了离子分离和过滤功能.     

利用芯片式高场非对称波形离子迁移谱技术快速检测苯丙氨酸

采用金属扩散管-芯片式高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术对苯丙氨酸进行了快速检测,设定测试压强为250 kPa,金属扩散管温度为190℃,在优化的最佳分析条件下,即:载气流速为2000 mL/min,分离电压为152.8 V时,在正模式下获得了苯丙氨酸的离子特征谱图和补偿电压特征值-0.62 V.另外,利用FAIMS对不同浓度的苯丙氨酸样品气进行了检测,确定了FAIMS检测的定量线性范围为6～20 mg/L和检出限为5.9 mg/L.本实验为FAIMS应用于苯丙氨酸的快速检测提供了重要参考.     

CsI(Tl)晶体的α/γ波形数字化实时甄别

基于Cs I(Tl)探测器对α/γ粒子的波形甄别能力,采用电荷比较法设计了一种波形实时甄别系统.介绍了实时甄别系统的设计原理,利用60Co-γ源、241Am-α源对实时系统进行了甄别实验,探究了不同参数对甄别效果的影响,并给出了最优甄别效果下的参数设置.研究表明,设计的数字化实时波形甄别系统体积小,能准确、实时地甄别开α/γ粒子,最佳品质因子大于1.4,事件计数率可达3×105/s.