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1.
氧化锌可见区发光机制   总被引:34,自引:14,他引:20  
探究与缺陷相关的氧化可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一,本文用X射线衍射、X射线光电子能谱,电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO:Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo^**和[Vo^*,electron]或[Vo^**,two electrons]复合体的发光模型。  相似文献
2.
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究   总被引:31,自引:12,他引:19  
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜,在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱。探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响,从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位,以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。  相似文献
3.
非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心   总被引:29,自引:2,他引:27       下载免费PDF全文
林碧霞  傅竹西  贾云波  廖桂红 《物理学报》2001,50(11):2208-2211
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜,测量它们的光致发光(PL)光谱,观察到两个发光峰,峰值能量分别为3.18(紫外峰,UV)和2.38eV(绿峰).样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化,同时比较了用FP-LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置.根据实验和能级计算的结果,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷(OZn)能级的跃迁,而不是通常认为的氧空  相似文献
4.
不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光   总被引:26,自引:0,他引:26       下载免费PDF全文
张德恒  王卿璞  薛忠营 《物理学报》2003,52(6):1484-1487
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜. 在270 nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射(波长为356 nm)和较弱的蓝光发射(波长为446 nm). 经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高, 在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜,其积分发光强度分别增加了7倍和14倍.而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著.紫外光发射源于电子的带间跃迁,而蓝光发射是由电子从氧空位浅施主能级到价带顶的跃迁引起的.  相似文献
5.
MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性   总被引:22,自引:4,他引:18  
近年来,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响;观察了样品的室温光致发光光 谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。  相似文献
6.
射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移   总被引:21,自引:0,他引:21       下载免费PDF全文
利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜.通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性.这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光,其峰位会随氧流量的减少而发生红移.从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因.  相似文献
7.
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性   总被引:20,自引:7,他引:13  
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其湿度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm),并初步指定其来源。  相似文献
8.
退火对多晶ZnO薄膜结构与发光特性的影响   总被引:18,自引:0,他引:18       下载免费PDF全文
用射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了C轴取向的多晶ZnO薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对多晶ZnO薄膜结构和发光特性的影响.由x射线衍射得知,随退火温度的升高,晶粒逐渐变大,薄膜中压应力由大变小至出现张应力.光致发光测量发现,样品在430nm附近有一光致发光峰, 峰的强度随退火温度升高而减弱,联合样品电阻率随退火温度升高而逐渐变大的测量及能级图,推测出ZnO薄膜中的蓝光发射主要来源于锌填隙原子缺陷能级与价带顶能级间的跃迁.  相似文献
9.
CaS·Cu+,Eu2+的光致发光及其在农业生产中的应用   总被引:18,自引:0,他引:18  
廉世勋  毛向辉 《发光学报》1997,18(2):166-173
研究了Cu+,Eu2+共激活的CaS的发光性质及激活剂浓度与荧光性质的关系.Cu+和Eu2+的发射光谱分别在430 nm附近及630 nm附近,它们是由Cu''Ca-Vs2+中心的离子发射和Eu2+的5d-4f跃迁发射产生的.实验结果表明,Cu+对Eu2+荧光发射有较强的敏化作用,Eu2+对Cu+发射峰值波长和强度也有显著影响;单掺Eu2+或Cu+的荧光粉是良好的农用薄膜红,蓝光转换剂,共掺Eu2+和Cu+的CaS荧光粉作光转换农膜添加剂可望人工模拟叶绿素的吸收光谱,使作物在植物最佳生长作用光谱环境中生长,促使作物早熟或提高作物产量.  相似文献
10.
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性   总被引:17,自引:5,他引:12  
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释。  相似文献
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