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1.
CF-2光电子能谱的Franck-Condon分析   总被引:7,自引:2,他引:5       下载免费PDF全文
在Born-Oppenheimer近似下,结合分子轨道从头算,采用谐振子模型和产生函数方法计算了CF2(X1A1)←CF-2(X2B1)跃迁的Franck-Condon因子.用迭代Franck-Condon分析(IFCA)方法对CF-2的光电子能谱进行了拟合,得到了基态CF-2的几何构型:r CF=0.142 9±0.000 1 nm,θFCF=101.10±0.01度.  相似文献
2.
Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-,由此可改善钨酸铅的发光性能。  相似文献
3.
掺镧PbWO4闪烁晶体的缺陷研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4晶体缺陷的变化.结果表明:掺镧后,PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(VPb)浓度增加,并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制,认为掺La将抑制晶体中的氧空位,增加铅空位浓度.  相似文献
4.
张辉  刘应书  刘文海  王宝义  魏龙 《物理学报》2007,56(12):7255-7261
采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提  相似文献
5.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提  相似文献
6.
掺镧PbWO4闪烁晶体的缺陷研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化.结果表明:掺镧后,PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(V< sub>Pb)浓度增加,并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制,认为掺 La将抑制晶体中的氧空位,增加铅空位浓度.  相似文献
7.
掺钇钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的掺钇钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)实验手段,对掺钇钨酸晶体的微观缺陷进行研究。实验表明,钇掺杂能够提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子俘获中心浓度下降,低价氧浓度下降。提出掺钇钨酸铅晶体中钇的掺杂主要以Y^3 占据VPb的形式存在。Y^3 占据VPb可能是钨酸铅晶体吸收边得到改善的原因,而由于晶体内低价氧浓度的减少,作为绿光发光中心的(WO3+O^-)基团的减少可能会使发光快成分比例有所增加。  相似文献
8.
强激光非线性条件下分子的多光子电离过程呈现出较为明显的强场效应.由于这种效应不能用传统的量子微扰论来处理,“缀饰态”模型方法提供了物理图象清晰的处理光与物质相互作用的方案.本文基于含时波包动力学的基本理论,将激光场看作经典场,利用“缀饰态”模型研究了强场下双原子分子(NO、RbI等)的多光子电离过程.研究表明,激光场的强度、泵浦-探测脉冲延迟时间等对多光子电离光电子能谱的形状有着重要的影响,而这种影响是由光诱导势引起的.另外,在研究具有两个连续态的RbI体系时,自电离现象的发生也与势能面的交叉密切相关,并受外场强度的影响.本文计算模拟外场中分子的光电子能谱时所得到的强场效应对理解和实现原子分子过程的激光操控具有重要的意义.  相似文献
9.
蓝光发射和红光发射多孔硅的XPS分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭常新  李碧琳 《发光学报》1997,18(2):127-132
绿色发光多孔硅在空气中经两种不同的氧化处理分别得到红色发光和蓝色发光.X射线光电子能谱分析显示红色发光多孔硅中含有一定比例的Si、SiOx(x=1~2)以及少量的氟化物;蓝色发光多孔硅的主要成份是SiO2及少量的氟化物.红处透射谱显示蓝光发射多孔硅几乎只存在Si-O-Si峰,而红光发射多孔硅除主要有Si-O-Si峰外,还有明显的SiHx峰.分析表明多孔硅中的蓝光发射来源于SiO2中的缺陷中心.  相似文献
10.
本文测量了La0.7Sr0.3MnO3纳米固体的X射线光电子能谱,观察到高压对氧原子状态的影响。  相似文献
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