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1.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
2.
对微结构的制作、微装配系统进行了研究. 采用飞秒激光双光子聚合微加工技术制作有底座、精细的三维立体“拱形”微结构, 其高250μm、长300μm、厚50μm. 将此微结构与实验室自主搭建的二维微装配平台相结合, 利用自主编程的人机交互界面驱动步进电机, 远程操控微装配设备; 将荧光闪烁陶瓷粉末装配到微结构中, 对装配后的微结构进行荧光光谱表征发现, 纯荧光粉末和微结构中的荧光粉末的发射光谱在测量误差范围内基本一致, 表明荧光粉末的光学性质未发生改变. 利用该装置可以将各类微纳米级材料和微结构进行装配, 形成含有不同材料的微结构系统. 相似文献
3.
《义务教育数学课程标准(2011年版)》(以下简称《课标》)指出,数学教学活动,特别是课堂教学应激发学生兴趣,调动学生积极性,引发学生的数学思考,鼓励学生的创造性思维.这就要求教师在设计教学环节时,以学生经验为逻辑起点,以学生经验生长为目的,重视学生的多感官参与,拒绝单一的听中学,创设环节帮助学生体悟学习过程,关注学生的学习过程,具身学习正是通过身体的感觉运动系统与周围环境的互动,促使学习者的认知、心理和情感水平发生变化,为我们提供了一个引导学生学习方式转型的新视角。 相似文献
4.
将有机物2,5-二溴对苯二甲酸(H2L1)和2,2′-联吡啶(L2)作为双配体,使用溶剂热法和七水合硫酸锌(ZnSO4·7H2O)、六水合硝酸钴(Co(NO3)2·6H2O)分别反应,得到配合物[Zn(L1)(L2)(H2O)]n(1)和配合物[Co(L1)(L2)(H2O)]n(2)。采用单晶X射线衍射、元素分析、红外光谱、紫外光谱、荧光光谱、热重分析等测试方法对这两种物质进行分析研究。单晶测试结果表明配合物1是单斜晶系,以Zn2+配位连接L2-1与L2形成一维链状结构,各条链在分子间氢键和π…π共轭作用下有规律地堆叠形成三维网络结构。配合物2是三斜晶系,Co1离子和Co1i离子由H2L1上的羧酸氧原子O4和O4i连接,形成双齿螯合的配位结构单元,以Co2+配位连接 L2-1和L2形成二维网格结构,各层在O—H…O分子间氢键和范德瓦耳斯力作用下有规律的堆叠形成三维网络结构。配合物1和2均含有芳香杂环、羧基杂环和氮杂环,具有良好的荧光性质和热稳定性,最大发射波长分别为345 nm和333 nm。 相似文献
5.
针对我国小行星探测任务对电推进系统离子推力器设计要求,基于等离子体基本理论建立了多模式离子推力器输入参数与输出特性关系,完成各工作点下屏栅电压、束电流、阳极电流、加速电压,流率等输入参数设计,采用试验研究和理论分析的方法研究了推力器工作特性.试验结果表明:在设计输入参数下,23个工作点推力最大误差小于3%,比冲最大误差小于4%,在功率为289—3106 W下,推力为9.7—117.6 mN,比冲为1220—3517 s,效率为23.4%—67.8%,电子返流极限电压随着推力增加单调减小,最小、最大推力下分别为-79.5 V和-137 V,放电损耗随着功率增大从359.7 W/A下降到210 W/A,并在886 W时存在明显拐点,效率随功率增大而上升,在1700 W后增速变缓并趋于稳定,在轨应用可综合推力器性能、任务剖面要求、寿命,合理设计输入参数区间,制定控制策略. 相似文献
6.
7.
研究了基于G-N模型与三项延迟模型的热弹性波的传播特征.在各种广义热弹性理论中,热位移概念的引入使得G-N模型具有独特性质而引起广泛的关注和应用.基于G-N模型,最近一个三相延迟模型被提出.主要研究了这两种模型下第一和第二声波(耦合热弹性波)的色散和衰减特性,分析了温度场和位移场在两种模型下的振幅比和相位差.结果发现三相延迟模型更为通用和灵活,应得到更多的关注与应用. 相似文献
8.
数形结合的本质就是将直观的图形与抽象的语言符号相结合,实现形象思维与抽象思维的融合,让复杂、抽象的问题变得直观、简单化.在初中数学教学的各个环节,有效地渗透数形结合思想,能激发学生思维的灵活性与创造性.本文中,从数量变化规律、图形变化规律与数形结合思想的实际应用三方面着手,具体谈谈数形结合思想在教学中的应用. 相似文献
9.
给定2个图G 1 ![]()
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和G 2 ![]()
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,设G 1 ![]()
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的边集E ( G 1 ) = { e 1 , e 2 , ? , e m 1 } ![]()
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,则图G 1 ⊙ G 2 ![]()
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可由一个G 1 ![]()
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,m 1 ![]()
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个G 2 ![]()
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通过在G 1 ![]()
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对应的每条边外加一个孤立点,新增加的点记为U = { u 1 , u 2 , ? , u m 1 } ![]()
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,将u i ![]()
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分别与第i ![]()
![]()
个G 2 ![]()
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的所有点以及G 1 ![]()
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中的边e i ![]()
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的端点相连得到,其中i = ? 1,2 , ? , m 1 ![]()
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。得到:(i)当G 1 ![]()
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是正则图,G 2 ![]()
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是正则图或完全二部图时,确定了G 1 ⊙ G 2 ![]()
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的邻接谱(A -谱)。(ii)当G 1 ![]()
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是正则图,G 2 ![]()
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是任意图时,给出了G 1 ⊙ G 2 ![]()
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的拉普拉斯谱(L -谱)。(iii)当G 1 ![]()
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和G 2 ![]()
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都是正则图时,给出了G 1 ⊙ G 2 ![]()
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的无符号拉普拉斯谱(Q -谱)。作为以上结论的应用,构建了无限多对A -同谱图、L -同谱图和Q -同谱图;同时当G 1 ![]()
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是正则图时,确定了G 1 ⊙ G 2 ![]()
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支撑树的数量和Kirchhoff指数。 相似文献
10.