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1.
斯特林型高频脉冲管制冷机的现状与样机研制   总被引:10,自引:0,他引:10  
首先介绍了国际上高频脉冲管制冷机的研究现状及未来发展趋势 ,表明高效高频脉冲管制冷机的产品和样机在国际上已日趋成熟。然后简要介绍了作者近几年在德国研制的高频脉冲管制冷机样机的性能和特点。作者获得的性能和国际上最好性能的比较表明 ,作者获得的性能结果已处于世界先进行列  相似文献
2.
超声波清洗设备的目前发展方向   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
辛乐 《应用声学》2000,19(2):44-48
超声波清洗设备的发展方向目前有二个:一个是从单缸机到多缸机或自动化的超声清洗生产线;另一个是,从低频超声清洗机到高频超声清洗机。  相似文献
3.
L波段相对论速调管放大器研究   总被引:10,自引:6,他引:4       下载免费PDF全文
 介绍了L 波段强流相对论速调管放大器高频系统的设计, 强流相对论空心电子束的产生、传输、调制及微波输出等的初步实验结果。在直线感应加速器上, 利用无箔空心石墨阴极, 引出了电压约500kV、电流4. 5kA、直径54. 5mm、厚度4. 5mm 的空心电子束, 经过三腔放大后, 得到了536MW 的微波峰值功率, 效率21% , 增益30dB。  相似文献
4.
一种基于新型长周期光纤光栅的动态增益均衡器   总被引:9,自引:5,他引:4       下载免费PDF全文
报道了一种用高频CO2激光脉冲写出的长周期光纤光栅的温度特性和弯曲特性.实验表明,这种长周期光纤光栅的波长漂移随温度的变化呈线性关系,它的透射峰幅值变化随弯曲量的变化也呈线性关系.基于这两种线性关系,通过控制新型长周期光纤光栅的谐振峰位置和幅度,动态平坦了一组掺铒光纤放大器增益谱线.实验结果表明在C波段32nm范围内掺铒光纤放大器增益谱线平坦度可动态调整为±0.7dB.  相似文献
5.
三腔渡越管振荡器高频结构的解析研究   总被引:9,自引:9,他引:0       下载免费PDF全文
 从圆柱坐标系下Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔渡越管振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布的解析表达式。运用该解析法求得三腔渡越管振荡器的谐振频率与实验中测得的微波频率一致,求得的场分布与数值法得到的场分布十分吻合。  相似文献
6.
腐蚀后的新型长周期光纤光栅特性研究   总被引:7,自引:5,他引:2       下载免费PDF全文
报道了高频CO2激光脉冲写入的长周期光纤光栅的腐蚀特性,即LPFG的谐振波长随腐蚀时间的变化线性地向长波方向漂移,而其谐振峰幅值变化却很小.首次对腐蚀后的长周期光纤光栅的基础特性进行了研究,发现其温度、应变、扭曲特性都未发生改变,而弯曲灵敏度比未腐蚀时的要小.从而得出了可用腐蚀来调整长周期光纤光栅谐振波长而不改变其特性的结论.  相似文献
7.
采用拉曼散射光谱和PR650光谱光度计对VHF-PECVD制备的微晶硅薄膜进行了结构表征和在线监测研究.结果表明:功率对材料的晶化率(χc)有一定的调节作用,硅烷浓度大,微调作用更明显;SiH*的强度只能在一定的范围内表征材料的沉积速率,功率大相应的速率反而下降;I[Hα*]/I[SiH*]强度比值反映了材料晶化程度,此结果和拉曼散射光谱测试结果显示出一致性;I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比表明氢等离子体中的电子温度随功率的增大而逐渐降低.  相似文献
8.
FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜的微波电磁特性   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
采用交替沉积磁控溅射工艺制备了超薄多层的FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜 .利用x射线衍射仪、扫描探针显微镜、透射电子显微镜分析了薄膜的微结构和形貌特征 .采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率 .重点对SiO2 介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨 .结果表明 :这类FeCoB SiO2 磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能 ,2GHz时的磁导率 μ′高于 70 ,可以应用于高频微磁器件或微波吸收材料的设计  相似文献
9.
光纤光栅外腔半导体激光器的高频调制特性   总被引:5,自引:0,他引:5  
报道了光纤光栅外腔激光器瞬态特性的理论分析,引入了一个适用于外腔情况的等效光子寿命,模拟计算表明,要获得高于2.5GHz的调制速率,光纤光栅外腔的长度必须短于4cm范围,对所研制的光纤光栅外腔激光器进行了高频调制测量,得到了在1GHz下的单模激光输出,边模抑制比在40dB以上,3dB动态线宽为0.1nm左右,20dB动态线宽为0.3nm。  相似文献
10.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池.电池的J-V测试结果表明:在实验的硅烷浓度和功率范围内,随硅烷浓度的降低和功率的加大,对应电池的开路电压逐渐变小;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密 度有很大的影响,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著.对于微晶硅电池,N层最好 是非晶硅,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应,另一方面也降低了电池的漏电概率,提高了电池的填充因子.  相似文献
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