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1.
半金属磁性材料   总被引:6,自引:0,他引:6  
半金属材料的一个重要特征为具有高达100%的传导电子自旋极化率。半金属磁性材料是一种具有极大的应用潜能的自旋电子学材料。本文从半金属性的来源、材料的晶体结构、半金属的电子态和电磁特性等不同角度对半金属材料进行了系统分类。对现已发现的几种半金属材料的基本性质和原子结构特征进行了综述。分别对5种传导电子自旋极化率的测量方法进行了分析和讨论。  相似文献
2.
ZnO中Li相关缺陷结构性质   总被引:4,自引:3,他引:1  
徐群和  康俊勇 《发光学报》2006,27(4):509-513
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。  相似文献
3.
采用平面波超软赝势方法计算了锐钛矿型TiO2(101)面的表面能和表面原子弛豫结构.首先对TiO2(101)面的6种不同的表面原子终止结构的体系总能量进行了计算,结果表明终止原子为两配位的O原子、次层为五配位的Ti原子的表面结构最为稳定.针对该表面研究了表面能和原子弛豫与模型中原子层数和真空厚度的关系,当原子层数为12层,真空厚度为0.4nm时,表面能收敛度小于0.01J/m2.研究发现:表面上两配位的O原子向里移动约0.0012nm,五配  相似文献
4.
半金属磁体   总被引:3,自引:0,他引:3  
孙华  雎胜  李振亚 《物理》2002,31(5):275-281
半金属磁体是近些年来日益受到关注的一种新材料,也是物质具有一种新形态,在半金属磁体的能带结构中,两个自旋子能带分别具有金属性与绝缘性,从而产生自旋完全极化的传导电子,这一特性使它有可能在新一代微电子设备中发挥重要作用,并为极化输运理论及自旋电子学的研究开辟崭新的领域,文章主要介绍了半金属磁体的命名、特征和几种典型的材料,回顾了在寻找半金属磁体过程中的理论计算和实验研究的发展历程,并对巳在半金属磁体材料中发现的一些具有应用价值的磁输运现象作了阐述。  相似文献
5.
半金属磁性材料研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
任尚坤  张凤鸣  都有为 《物理》2003,32(12):791-798
半金属材料是一种新型的功能自旋电子学材料,是一种具有特殊能带结构的物质,近年来13益受到人们的关注。半金属材料从微观上具有导体和绝缘体双重性质:对一种自旋取向的电子其能带结构呈现金属性,而另一自旋取向的电子其能带结构呈现绝缘体性.文章着重对Half—Heusler结构半金属材料、CrO2铁磁半金属、Fe3O4亚铁磁材料半金属、反铁磁材料半金属和钙钛矿及双钙钛矿半金属的结构特性进行分析和综述,并对半金属材料的应用原理和应用前景作了阐述。  相似文献
6.
高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
孙华  李振亚 《物理学进展》2005,25(4):407-429
颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。  相似文献
7.
反常霍尔效应理论的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
梁拥成  张英  郭万林  姚裕贵  方忠 《物理》2007,36(5):385-390
文章介绍了在铁磁性材料中反常霍尔效应的发现及其机制研究的历史;阐述了反常霍尔效应理论研究最近取得的重大进展,即倒空间中布洛赫态的贝里曲率(规范场)特性决定了霍尔电导率;同时指出,建立系统地解释反常霍尔效应机制的理论仍然是一个挑战性的任务.  相似文献
8.
采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对闪锌矿结构CrTe和VTe的电子结构进行自旋极化计算.闪锌矿相CrTe和VTe处于平衡晶格常数时都是半金属性的,它们自旋向下子能带的带隙分别是2.82 eV和2.70 eV,半金属隙分别是0.89 eV和0.33 eV.使晶体相对于平衡晶格在±10%的范围内发生各向同性形变,对闪锌矿相CrTe和VTe的电子结构进行计算,计算结果表明相对于平衡晶格的各向同性形变分别为-6%~10%和-3%~10%时它们仍然具有半金属性质;与此同时,在以上相同的形变范围内闪锌矿相CrTe和VTe的总磁矩分别稳定于4.00μB/formula和3.00μs/formula.在晶体相对于平衡晶格发生各向同性形变分别为-6%~10%和-3%~10%时,闪锌矿相CrTe和VTe能保持半金属铁磁性.  相似文献
9.
We report first-principles calculations of conductance of carbon nanotubes between metallic electrodes. The electronic states are calculated using a numerical atomic orbital basis set in the framework of the density functional theory, and the conductance is calculated using the Green's function method. We show transmission spectra of carbon nanotubes connected to electrodes and reveal the contact effect of electrodes on the transport properties of nanotubes.  相似文献
10.
MgxZn1-xO结构性质   总被引:1,自引:1,他引:0  
陈晓航  康俊勇 《发光学报》2006,27(5):761-765
采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。  相似文献
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