首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13895篇
  免费   3839篇
  国内免费   904篇
化学   3296篇
晶体学   415篇
力学   327篇
综合类   107篇
数学   383篇
物理学   14110篇
  2024年   20篇
  2023年   117篇
  2022年   277篇
  2021年   307篇
  2020年   353篇
  2019年   274篇
  2018年   308篇
  2017年   438篇
  2016年   501篇
  2015年   534篇
  2014年   877篇
  2013年   1380篇
  2012年   1029篇
  2011年   1030篇
  2010年   766篇
  2009年   870篇
  2008年   1046篇
  2007年   985篇
  2006年   913篇
  2005年   847篇
  2004年   709篇
  2003年   658篇
  2002年   566篇
  2001年   543篇
  2000年   516篇
  1999年   428篇
  1998年   378篇
  1997年   361篇
  1996年   285篇
  1995年   285篇
  1994年   245篇
  1993年   173篇
  1992年   148篇
  1991年   95篇
  1990年   71篇
  1989年   63篇
  1988年   52篇
  1987年   44篇
  1986年   29篇
  1985年   32篇
  1984年   30篇
  1983年   7篇
  1982年   16篇
  1981年   8篇
  1980年   7篇
  1979年   4篇
  1975年   2篇
  1973年   2篇
  1971年   2篇
  1970年   2篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。  相似文献   
2.
This work focuses on optimal controls of a class of stochastic SIS epidemic models under regime switching. By assuming that a decision maker can influence the infectivity period, our aim is to minimize the expected discounted cost due to illness, medical treatment, and the adverse effect on the society. In addition, a model with the incorporation of vaccination is proposed. Numerical schemes are developed by approximating the continuous-time dynamics using Markov chain approximation methods. It is demonstrated that the approximation schemes converge to the optimal strategy as the mesh size goes to zero. Numerical examples are provided to illustrate our results.  相似文献   
3.
Surface plasmon can trigger or accelerate many photochemical reactions, especially useful in energy and environmental industries. Recently, molecular adsorption has proven effective in modulating plasmon-mediated photochemistry, however the realized chemical reactions are limited and the underlying mechanism is still unclear. Herein, by using in situ dark-field optical microscopy, the plasmon-mediated oxidative etching of silver nanoparticles (Ag NPs), a typical hot-hole-driven reaction, is monitored continuously and quantitatively. The presence of thiol or thiophenol molecules is found essential in the silver oxidation. In addition, the rate of silver oxidation is modulated by the choice of different thiol or thiophenol molecules. Compared with the molecules having electron donating groups, the ones having electron accepting groups accelerate the silver oxidation dramatically. The thiol/thiophenol modulation is attributed to the modulation of the charge separation between the Ag NPs and the adsorbed thiol or thiophenol molecules. This work demonstrates the great potential of molecular adsorption in modulating the plasmon-mediated photochemistry, which will pave a new way for developing highly efficient plasmonic photocatalysts.  相似文献   
4.
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS2的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS2为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS2带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS2表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS2二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。  相似文献   
5.
A one-step Rh-catalyzed site-selective ortho-C−H alkynylation of perylene as well as naphthalene mono- and diimides is reported. A single step regioselective access to ortho-C−H alkynylated derivatives of these ryleneimides not only increases the step economy of the ortho-functionalization on these dyes but also provides a quick access route towards highly functionalized dyes that have potential optoelectronic applications. Increased solubility of tetra(triisopropylsilyl)acetylenyl PDIs in organic solvents greatly enhances their utility for further derivatization.  相似文献   
6.
Jia-Hui Wang 《中国物理 B》2021,30(11):110204-110204
We fabricated a microfluidic chip with simple structure and good sealing performance, and studied the influence of the electric field on THz absorption intensity of liquid samples treated at different times by using THz time domain spectroscopy system. The tested liquids were deionised water and CuSO4, CuCl2, NaHCO3, Na2CO3 and NaCl solutions. The transmission intensity of the THz wave increases as the standing time of the electrolyte solution in the electric field increases. The applied electric field alters the dipole moment of water molecules in the electrolyte solution, which affects the vibration and rotation of the whole water molecules, breaks the hydrogen bonds in the water, increases the number of single water molecules and leads to the enhancement of the THz transmission spectrum.  相似文献   
7.
近年来,基于透射电子显微技术、微纳加工技术和薄膜制造技术的发展,原位液相透射电子显微技术产生,为构建多种纳米级分辨率尺度下的微实验平台,发展新型纳米表征技术和众多领域的相关研究提供了途径.本文首先介绍了应用于原位液相透射电子显微技术的液体腔设计要求,然后介绍了液体腔的发展和典型的制备工艺,最后综述了近年来液体腔透射电子显微镜在纳米粒子成核和生长方面的应用研究,并探讨了该技术前沿发展面临的机遇和挑战.本文将为提高我国先进纳米表征技术和原子精准构筑技术提供相关讨论和支持.  相似文献   
8.
将TiNi基记忆合金薄膜与光纤相结合可制成智能化、集成化且成本经济的微机电系统和微传感器件.本文采用磁控溅射法在二氧化硅光纤基底上制备TiNi记忆合金薄膜,系统讨论了溅射工艺参数以及后续退火处理对薄膜质量的影响.采用自研制光纤镀膜掩膜装置在直径为125μm的光纤圆周表面上形成均匀薄膜.实验表明:在靶基距、背底真空度、Ar气流量和溅射时间一定的条件下,溅射功率存在最佳值;溅射压强较大时,薄膜沉积速率较低,但薄膜表面粗糙度较小.进行退火处理后,薄膜形成较良好的晶体结构,Ti49.09Ni50.91薄膜中马氏体B19′相和奥氏体B2相共存,但以B19′为主.根据本文研究结果,在玻璃光纤基底上制备高质量的TiNi基记忆合金薄膜是可实现的,本工作为下一步研制微机电系统和微型传感器做了基础准备.  相似文献   
9.
10.
In this paper, a quantum cascade laser (QCL) design is proposed based on GaAs/AlGaAs material system, which simultaneously operates at three widely separated wavelengths (λ1=11.1μm,λ2=14.1μm and λTHz=60μm). In the design, all the wavelength radiations are achieved by the engineering of the electronic spectrum via the quantum-well widths and the applied electric field in a single active region within a same waveguide. The mid-infrared (mid-IR) wavelengths are obtained by adoption a dual-upper-state active region, and the proposed design aims to use both the mid-IR radiations as the coherent deriving fields to populate the upper THz lasing state to aid the THz-laser population inversion via optical pumping instead of direct electrical injection. A detailed analysis of electronic transport in the structure is carried out using a multi-level rate-equation model. The results show that the proposed structure offers an alternative approach to room temperature THz generation in QCLs.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号